[發明專利]背面有凹坑的磷化銦晶片、制法和制備其的腐蝕液

有效

• 申請號: 201710612344.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109290875B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 王留剛;李海淼;朱頌義
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術股份有限公司
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 王媛;鐘守期

本發明涉及一種{100}磷化銦(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大維度為65微米，凹坑的最大深度為6.0微米。本發明還涉及該{100}磷化銦(InP)晶片的制備方法以及制備該{100}磷化銦(InP)晶片的腐蝕液。本發明的{100}磷化銦(InP)晶片背面分布有凹坑，在外延生長中受熱均勻，應用效果好。

技術領域

本發明涉及一種背面有凹坑的{100}磷化銦晶片，及其制備方法和制備其的腐蝕液。

背景技術

磷化銦(InP)單晶屬于III-V族半導體材料，其禁帶寬度為1.35eV，具有高電子遷移率、耐輻射性能好、高熱導率、高擊穿電場等優越特性，使其成為光纖通信、微波、毫米波器件、抗輻射太陽能電池等領域的主要襯底，應用廣泛。目前，作為商品提供的磷化銦(InP)單晶襯底大多為{100}磷化銦晶片。

磷化銦器件的性能和使用壽命主要取決于器件本身的結構和各外延功能層的生長品質。要在襯底上形成具有良好質量的外延層，要求襯底的質量必須良好以及襯底表面與外延條件的匹配。襯底的質量取決于襯底本身的晶體結構、外延面的原子狀態以及襯底背面的粗糙度和形貌等。研磨加工是晶片加工的重要步驟，對晶片表面粗糙度、表面腐蝕坑形貌的形成起到了至關重要的作用。

公開號為CN 102796526A的中國專利申請公開了一種腐蝕磷化銦單晶片的腐蝕液和腐蝕方法。

迄今為止，關于{100}磷化銦晶片，現有技術的信息大多集中于晶片用于生長外延層的表面，尚未有對磷化銦晶片背面形貌特征研究的相關報道。

發明內容

本發明的目的在于提供一種背面有凹坑的{100}磷化銦晶片，并且提供制備該{100}磷化銦(InP)晶片的方法和制備其的腐蝕液。

本發明的目的通過以下技術方案實現：

本發明第一方面涉及一種{100}磷化銦(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大維度為65微米，凹坑的最大深度為6.0微米。

在一個優選實施方案中，背面凹坑的突起的最大維度為45微米，凹坑的最大深度為4.5微米。

本發明第二方面涉及一種制備本發明第一方面所述的{100}磷化銦(InP)晶片的方法，其包括以下方案之一：

方案1(在本發明中，如無其他說明，則各步驟按序實施——這一點也同樣適用于其他方法的各步驟)

---將{100}磷化銦(InP)晶片進行表面研磨；

---將表面研磨后的{100}磷化銦(InP)晶片的正面進行機械拋光、化學拋光；

---對{100}磷化銦(InP)晶片正面作保護；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；

---去除{100}磷化銦晶片正面的保護；

其中腐蝕液包括酸性物質、去離子水和氧化劑，以摩爾比計，腐蝕液中酸性物質、去離子水和氧化劑的比例為1:(5-15):(0.5-3)，腐蝕液的溫度為15-80℃，優選18-50℃，更優選20-40℃，腐蝕時間為5-40min，優選10-30min，更優選10-20min；

方案2

---將{100}磷化銦(InP)晶片進行表面研磨；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；