[發(fā)明專利]背面有凹坑的磷化銦晶片、制法和制備其的腐蝕液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710612344.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109290875B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設計）人: 王留剛;李海淼;朱頌義
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術股份有限公司
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權代理有限公司 11285
• 代理人: 王媛;鐘守期

1.一種{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，晶片具有用于外延生長的正面拋光面，所述正面拋光面的表面粗糙度不高于0.5納米，晶片背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大維度為65微米，凹坑的最大深度為6.0微米，其厚度為250-850微米；其中晶片在分布有凹坑的一面的表面粗糙度Ra在0.2-1.5微米范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權利要求1所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，背面凹坑的突起的最大維度為45微米，凹坑的最大深度為4.5微米。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，所述的{100}磷化銦(InP)晶片的一面具有凹坑，或者在兩面均具有凹坑。

4.根據(jù)權利要求1所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，晶片在分布有凹坑的一面的表面粗糙度Ra在0.4-1.5微米范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權利要求4所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，晶片在分布有凹坑的一面的表面粗糙度Ra在0.4-1.0微米范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，其直徑為2-15厘米。

7.根據(jù)權利要求6所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，其直徑為5-12厘米。

8.根據(jù)權利要求1所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，其厚度為280-750微米。

9.根據(jù)權利要求1或2所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，其厚度為300微米；其中晶片在分布有凹坑的一面的表面粗糙度Ra為0.8微米；晶片背面凹坑的突起的最大維度為60微米，凹坑的最大深度為5.6微米。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的{100}磷化銦(InP)晶片，其特征在于，其厚度為500微米；其中晶片在分布有凹坑的一面的表面粗糙度Ra為0.4微米；晶片背面凹坑的突起的最大維度為40微米，凹坑的最大深度為4.0微米。

11.一種制備如權利要求1-10之一的{100}磷化銦(InP)晶片的方法，其特征在于，包括以下方案1或2之一：

方案1

---將{100}磷化銦(InP)晶片進行表面研磨；

---將表面研磨后的{100}磷化銦(InP)晶片的正面進行機械拋光、化學拋光；

---對{100}磷化銦(InP)晶片正面作保護；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦(InP)晶片取出，用去離子水沖洗；

---去除{100}磷化銦(InP)晶片正面的保護；

其中腐蝕液包括酸性物質、去離子水和氧化劑，以摩爾比計，腐蝕液中酸性物質、去離子水和氧化劑的比例為1:(5-15):(0.5-3)，腐蝕液的溫度為15-80℃，腐蝕時間為5-40min；

方案2

---將{100}磷化銦(InP)晶片進行表面研磨；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦(InP)晶片取出，用去離子水沖洗；

---對腐蝕后的{100}磷化銦(InP)晶片背面作保護；

---對背面作保護的腐蝕后的{100}磷化銦(InP)晶片實施機械拋光、化學拋光，隨后用去離子水清洗；

---去除{100}磷化銦(InP)晶片背面的保護；

其中腐蝕液包括酸性物質、去離子水和氧化劑，以摩爾比計，腐蝕液中酸性物質、去離子水和氧化劑的比例為1:(5-15):(0.5-3)，腐蝕液的溫度為15-80℃，腐蝕時間為5-40min。