[發(fā)明專利]背面有橄欖形凹坑的磷化銦晶片、制法及所用腐蝕液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710611710.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN109290874B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王留剛;李海淼;朱頌義
• 申請（專利權(quán)）人: 北京通美晶體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): B24B7/22
• 分類號(hào): B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40
• 代理公司: 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;侯婧

本發(fā)明涉及一種{100}磷化銦(InP)晶片，其背面有橄欖形凹坑，其中所述橄欖形是指兩頭細(xì)中間寬的形狀，例如橢圓形。本發(fā)明還涉及制備該{100}磷化銦(InP)晶片的方法及所用腐蝕液。本發(fā)明的{100}磷化銦(InP)晶片表面形貌規(guī)則，在外延生長中受熱均勻，應(yīng)用效果好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種背面具有橄欖形凹坑的{100}磷化銦(InP)晶片及制備其的腐蝕液和制備方法。

背景技術(shù)

磷化銦(InP)單晶屬于III-V族半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為1.35eV，具有高電子遷移率、耐輻射性能好、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)越特性，使其成為光纖通信、微波、毫米波器件、抗輻射太陽能電池等領(lǐng)域的主要襯底，應(yīng)用廣泛。目前，作為商品提供的磷化銦(InP)單晶襯底大多為{100}磷化銦晶片。

磷化銦器件的性能和使用壽命主要取決于器件本身的結(jié)構(gòu)和各外延功能層的生長品質(zhì)。要在襯底上形成具有良好質(zhì)量的外延層，要求襯底的質(zhì)量必須良好以及襯底表面與外延條件的匹配。襯底的質(zhì)量取決于襯底本身的晶體結(jié)構(gòu)、外延面的原子狀態(tài)以及襯底背面的粗糙度和形貌等。研磨加工是晶片加工的重要步驟，對(duì)晶片表面粗糙度、表面腐蝕坑形貌的形成起到了至關(guān)重要的作用。

公開號(hào)為CN 102796526A的中國專利申請公開了一種腐蝕磷化銦單晶片的腐蝕液和腐蝕方法。

迄今為止，關(guān)于{100}磷化銦晶片，現(xiàn)有技術(shù)的信息大多集中于晶片用于生長外延層的表面，尚未有對(duì)磷化銦晶片表面形貌特征進(jìn)行研究的相關(guān)報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種背面有橄欖形凹坑的{100}磷化銦晶片，并且提供制備該{100}磷化銦(InP)晶片的腐蝕液和制備方法。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明第一方面涉及一種{100}磷化銦(InP)晶片，其背面有橄欖形凹坑，其中所述橄欖形是指兩頭細(xì)(優(yōu)選為尖形)中間寬的形狀，例如橢圓形。

本發(fā)明第二方面涉及一種根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的{100}磷化銦(InP)晶片的制備方法，其包括以下方案之一：

方案1(如無其他說明，則以下步驟按序?qū)嵤@一點(diǎn)也同樣適用于其他方法的各步驟)

--將{100}磷化銦(InP)晶片進(jìn)行表面研磨；

---將表面研磨后的{100}磷化銦(InP)晶片的正面進(jìn)行機(jī)械拋光、化學(xué)拋光；

---對(duì){100}磷化銦(InP)晶片正面作保護(hù)；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進(jìn)行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；

---去除{100}磷化銦晶片正面的保護(hù)；

其中腐蝕液包括酸性物質(zhì)、去離子水和氧化劑；以摩爾比計(jì)，該腐蝕液中酸性物質(zhì)、氧化劑和去離子水的比例為1:(0.02-0.6)：(1.5-6)，優(yōu)選1:(0.03-0.5)：(2.5-5)，腐蝕液的溫度為15-95℃，優(yōu)選18-50℃，更優(yōu)選20-40℃，腐蝕時(shí)間為10-600s，優(yōu)選30-500s，更優(yōu)選50-450s；

方案2

---將{100}磷化銦(InP)晶片進(jìn)行表面研磨；

---將{100}磷化銦(InP)晶片置于腐蝕液中進(jìn)行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；

---對(duì)腐蝕后的{100}磷化銦晶片背面作保護(hù)；