[發明專利]背面有橄欖形凹坑的磷化銦晶片、制法及所用腐蝕液

有效

• 申請號: 201710611710.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109290874B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 王留剛;李海淼;朱頌義
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術有限公司
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;侯婧

1.一種{100}磷化銦InP晶片，其背面有橄欖形凹坑，其中所述橄欖形是指兩頭細中間寬的形狀，所述橄欖形凹坑呈規則分布，即各橄欖形凹坑按橢圓形計，其各個長軸之間或各個短軸之間的夾角按銳角計不超過10°，并且所述橄欖形凹坑的長軸長度平均值為3-50微米，短軸長度平均值為1-30微米，凹坑的最大深度為5.0微米，排除端點5.0微米，坑深大于2.0微米的橄欖形凹坑所占的比例不低于30％，以及

晶片分布有橄欖形凹坑的面的表面粗糙度Ra在0.2-1.5微米范圍內。

2.根據權利要求1所述的{100}磷化銦InP晶片，其特征在于，各個長軸之間或各個短軸之間的夾角按銳角計不超過6°。

3.根據權利要求1或2所述的{100}磷化銦InP晶片，其特征在于，所述{100}磷化銦InP晶片一面具有橄欖形凹坑，或者在兩面均具有橄欖形凹坑。

4.根據權利要求1所述的{100}磷化銦InP晶片，其特征在于，背面凹坑的最大深度為3.5微米，坑深大于1.0微米的橄欖形凹坑所占的比例不低于30％。

5.根據權利要求4所述的{100}磷化銦InP晶片，其特征在于，背面凹坑的最大深度為3.5微米，坑深大于1.5微米的橄欖形凹坑所占的比例不低于20％。

6.一種制備權利要求1-5之一的{100}磷化銦InP晶片的方法，包括以下方案1或2之一：

方案1

---將{100}磷化銦InP晶片進行表面研磨；

---將表面研磨后的{100}磷化銦InP晶片的正面進行機械拋光、化學拋光；

---對{100}磷化銦InP晶片正面作保護；

---將{100}磷化銦InP晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；

---去除{100}磷化銦晶片正面的保護；

其中腐蝕液包括酸性物質、去離子水和氧化劑；以摩爾比計，該腐蝕液中酸性物質、氧化劑和去離子水的比例為1:(0.02-0.6):(1.5-6)，腐蝕液的溫度為15-95℃，腐蝕時間為10-600s；

方案2：

---將{100}磷化銦InP晶片進行表面研磨；

---將{100}磷化銦InP晶片置于腐蝕液中進行腐蝕；

---將腐蝕后的{100}磷化銦晶片取出，用去離子水沖洗；

---對腐蝕后的{100}磷化銦晶片背面作保護；

---對背面作保護的腐蝕后的{100}磷化銦晶片實施機械拋光、化學拋光，隨后用去離子水清洗；

---去除{100}磷化銦晶片背面的保護；

其中腐蝕液包括酸性物質、去離子水和氧化劑；以摩爾比計，該腐蝕液中酸性物質、氧化劑和去離子水的比例為1:(0.02-0.6)：(1.5-6)，腐蝕液的溫度為15-95℃，腐蝕時間為10-600s。

7.根據權利要求6所述的制備{100}磷化銦InP晶片的方法，其特征在于，在方案1或方案2中，以摩爾比計，該腐蝕液中酸性物質、氧化劑和去離子水的比例為1:(0.03-0.5):(2.5-5)。

8.根據權利要求6所述的制備{100}磷化銦InP晶片的方法，其特征在于，在本發明制備方法中，所述用于表面研磨的{100}磷化銦InP晶片從磷化銦晶棒切割而得。

9.根據權利要求8所述的制備{100}磷化銦InP晶片的方法，其特征在于，在切割步驟之后、表面研磨步驟之前，還對切出的晶片進行邊緣倒角處理，使晶片邊緣獲得合適的圓弧。

10.根據權利要求6所述的制備{100}磷化銦InP晶片的方法，其特征在于，所述保護采用保護層，保護層為塑料片、金屬片、玻璃片或陶瓷片，用蜂蠟或阿拉伯樹膠將保護層固定至晶片；經過輕微加熱將保護層脫除。