[發明專利]用于OLED蒸鍍的蔭罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

有效

• 申請號: 201710611036.7
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109301081B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 孔杰;居宇涵
• 申請（專利權）人: 上海視涯技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供鋼化玻璃襯底，所述鋼化玻璃襯底包括正面和相對的背面；

在所述鋼化玻璃襯底的正面形成緩沖層；

在所述鋼化玻璃襯底的所述緩沖層上形成格柵膜層；

刻蝕部分所述格柵膜層，在所述格柵膜層中形成若干貫穿格柵膜層且呈陣列排布的開口；

沿所述鋼化玻璃襯底的背面刻蝕部分所述鋼化玻璃襯底，在鋼化玻璃襯底中形成暴露出格柵膜層中的若干開口以及相鄰開口之間的格柵膜層的凹槽；

其中，所述緩沖層的材料與格柵膜層的材料不相同或相同，所述格柵膜層具有張應力，所述緩沖層具有張應力，且緩沖層的張應力小于格柵膜層的張應力。

2.如權利要求1所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氧化硅，緩沖層的厚度為0.3～0.6微米，緩沖層的表面粗糙度小于20nm，緩沖層的應力小于200Mpa。

3.如權利要求2所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述緩沖層的形成工藝為低溫等離子增強化學氣相沉積工藝。

4.如權利要求3所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，進行所述低溫等離子增強化學氣相沉積工藝時的反應氣體包括硅源氣體和氧源氣體，硅源氣體為SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆、TEOS中的一種或幾種，氧源氣體為O₂、O₃和N₂O中的一種或幾種，硅源流量為60sccm至500sccm，氧源氣體流量為30至200sccm，沉積腔室壓強為0.2托至5托，沉積腔室射頻功率為150瓦至1500瓦，沉積腔室溫度為250度至500度。

5.如權利要求1所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述緩沖層還覆蓋鋼化玻璃襯底的側面和背面。

6.如權利要求1或5所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述格柵膜層僅位于鋼化玻璃襯底正面上。

7.如權利要求1或5所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述格柵膜層除了位于鋼化玻璃襯底正面上外，所述格柵膜層還位于鋼化玻璃襯底的側面和背面上。

8.如權利要求1或5所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述格柵膜層具有張應力，張應力的大小為100～400Mpa。

9.如權利要求8所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述格柵膜層的材料為氮化硅，格柵膜層的厚度為1～3微米，表面粗糙度小于20納米。

10.如權利要求9所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述具有張應力、材料為氮化硅的格柵膜層的形成工藝為低壓爐管沉積工藝，低壓爐管沉積工藝的溫度大于600℃，腔室壓強為0.2-7Torr，氣體包括硅源氣體和NH₃，其中硅源氣體為SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆、TEOS中的一種或幾種。

11.如權利要求8所述的用于OLED蒸鍍的蔭罩的制作方法，其特征在于，所述格柵膜層的材料為氧化硅或氮氧化硅。