[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710609762.5 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN109301000A | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王士敏;趙湘輝;李紹宗;朱澤力;古海裕 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳萊寶高科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518107 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜太陽能電池 光吸收層 窗口層 緩沖層 基板 制備 絕緣塊 太陽能電池組件 光電轉(zhuǎn)換效率 太陽能電池 電極層 輕薄化 太陽光 疊合 刻劃 細(xì)線 沉積 去除 激光 圖案 | ||
一種薄膜太陽能電池,包括依次疊合的基板、光吸收層、緩沖層、窗口層和上電極層,還包括一第一凹槽和一第一絕緣塊,第一凹槽是通過使用激光對沉積有光吸收層、緩沖層和窗口層的基板進行刻劃,通過以細(xì)線形式去除光吸收層的一部分、緩沖層的一部分和窗口層的一部分來進行構(gòu)圖所形成的圖案,絕緣塊設(shè)置于第一凹槽內(nèi),太陽光從基板遠離光吸收層的一側(cè)進入薄膜太陽能電池。本發(fā)明實施例還提供一種薄膜太陽能電池的制備方法。本發(fā)明實施例提供的薄膜太陽能電池及其制備方法,在保持太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的前提下,能實現(xiàn)太陽能電池組件的輕薄化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜太陽能電池及其制備方法。
背景技術(shù)
工業(yè)革命的發(fā)展給人類社會帶來福祉的同時也引發(fā)并加劇了人與自然之間的矛盾。一方面,人類對大自然毫無節(jié)制的索取導(dǎo)致能源短缺問題日益嚴(yán)重,長此以往,我們將置子孫后代于資源枯竭、無能源可用的尷尬境地;另一方面,石油、煤等石化能源的大量使用導(dǎo)致生態(tài)環(huán)境急劇惡化,水、空氣漸漸都蛻變成了毒水、毒氣,侵蝕了人類維持生存所不可或缺的物質(zhì)基礎(chǔ):代際公平和人類的永續(xù)發(fā)展成為當(dāng)今世界不得不共同面對并付出實際努力以解決的問題。
發(fā)展綠色替代能源,尤其是發(fā)展太陽能電池,是解決上述問題的有效途徑。
太陽能電池是利用半導(dǎo)體材料的光生伏特效應(yīng)(即光伏效應(yīng))將太陽輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能,是一種廉價、清潔、高效、無污染的“綠色”新型能源。其中銅銦鎵硒(簡稱CIGS)薄膜太陽能電池由于具有制造成本低、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強、光譜響應(yīng)范圍寬、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點,被國際公認(rèn)是下一代最有前景的太陽能電池。
現(xiàn)有技術(shù)中,CIGS薄膜太陽能電池典型結(jié)構(gòu)為:襯底玻璃,Mo背電極,CIGS吸收層,CdS緩沖層,本征ZnO和AZO窗口層,Ni-Al柵電極,MgF2減反層,完成電池組制備后需要在上面再通過EVA貼合保護玻璃,即CIGS太陽能電池至少包括兩片玻璃基板。
然而,在某些應(yīng)用領(lǐng)域中,要求太陽能電池組件輕薄化。例如,在太陽能電池組件與建筑相結(jié)合的應(yīng)用(光伏建筑一體化,簡稱BIPV)領(lǐng)域要求太陽能電池組件輕薄化,實現(xiàn)太陽能組件輕薄化有利于加快建筑技術(shù)和光伏技術(shù)的進一步結(jié)合,促進光伏建筑一體化的快速發(fā)展。
在保持太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的前提下,實現(xiàn)太陽能電池的輕薄化是太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域一個亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種薄膜太陽能電池及其制備方法,在保持太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的前提下,能實現(xiàn)太陽能電池組件的輕薄化。
為達到上述技術(shù)效果,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下。
一種薄膜太陽能電池,包括依次疊合的基板、光吸收層、緩沖層、窗口層和上電極層,所述光吸收層位于所述基板一側(cè),所述緩沖層位于所述光吸收層遠離所述基板的一側(cè),所述窗口層位于所述緩沖層遠離所述光吸收層的一側(cè),所述上電極層位于所述窗口層遠離所述緩沖層的一側(cè),所述薄膜太陽能電池還包括一第一凹槽和一第一絕緣塊,所述第一凹槽是通過使用激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進行刻劃,通過以細(xì)線形式去除所述所述光吸收層的一部分、所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進行構(gòu)圖所形成的圖案,所述絕緣塊設(shè)置于所述第一凹槽內(nèi),太陽光從所述基板遠離所述光吸收層的一側(cè)進入所述薄膜太陽能電池。
本發(fā)明較佳實施例中,所述薄膜太陽能電池還包括一第二凹槽,所述第二凹槽是通過使用刻針或激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進行刻劃,通過以所述第一凹槽為參考位置偏移規(guī)定量,以細(xì)線形式去除所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進行構(gòu)圖所形成的圖案,所述上電極層填入所述第二凹槽內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳萊寶高科技股份有限公司,未經(jīng)深圳萊寶高科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710609762.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





