[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710609762.5 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN109301000A | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王士敏;趙湘輝;李紹宗;朱澤力;古海裕 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳萊寶高科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518107 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜太陽能電池 光吸收層 窗口層 緩沖層 基板 制備 絕緣塊 太陽能電池組件 光電轉(zhuǎn)換效率 太陽能電池 電極層 輕薄化 太陽光 疊合 刻劃 細(xì)線 沉積 去除 激光 圖案 | ||
1.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包括依次疊合的基板、光吸收層、緩沖層、窗口層和上電極層，所述光吸收層位于所述基板一側(cè)，所述緩沖層位于所述光吸收層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述窗口層位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)，所述上電極層位于所述窗口層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè)，所述薄膜太陽能電池還包括一第一凹槽和一第一絕緣塊，所述第一凹槽是通過使用激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以細(xì)線形式去除所述所述光吸收層的一部分、所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖所形成的圖案，所述絕緣塊設(shè)置于所述第一凹槽內(nèi)，太陽光從所述基板遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)進(jìn)入所述薄膜太陽能電池。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述薄膜太陽能電池還包括一第二凹槽，所述第二凹槽是通過使用刻針或激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以所述第一凹槽為參考位置偏移規(guī)定量，以細(xì)線形式去除所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖所形成的圖案，所述上電極層填入所述第二凹槽內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述薄膜太陽能電池還包括一第三凹槽，所述第三凹槽是指通過使用刻針或激光對沉積完所述上電極層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以所述第一凹槽或所述第二凹槽為參考位置偏移規(guī)定量，以細(xì)線形式去除所述緩沖層的一部分、所述窗口層的一部分和所述上電極層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖所形成的圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述薄膜太陽能電池還包括一保護(hù)層，所述保護(hù)層設(shè)置于所述上電極層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述保護(hù)層為金屬氧化物或金屬氮氧化物。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述薄膜太陽能電池還包括一減反射膜層，所述減反膜層設(shè)置于所述上電極層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)。
7.一種薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
準(zhǔn)備基板；
在基板上形成光吸收層；
在所述光吸收層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成緩沖層；
在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)形成窗口層；
通過使用激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以細(xì)線形式去除所述所述光吸收層的一部分、所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖，形成一第一凹槽；
在所述第一凹槽內(nèi)設(shè)置所述絕緣塊；
在所述窗口層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè)形成上電極層。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述第一凹槽內(nèi)設(shè)置所述絕緣塊之后，通過使用刻針或激光對沉積有所述光吸收層、所述緩沖層和所述窗口層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以所述第一凹槽為參考位置偏移規(guī)定量，以細(xì)線形式去除所述緩沖層的一部分和所述窗口層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖形成所述第二凹槽。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在形成所述第二凹槽之后，通過使用刻針或激光對沉積完所述上電極層的所述基板進(jìn)行刻劃，通過以所述第一凹槽或所述第二凹槽為參考位置偏移規(guī)定量，以細(xì)線形式去除所述緩沖層的一部分、所述窗口層的一部分和所述上電極層的一部分來進(jìn)行構(gòu)圖形成所述第三凹槽。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述窗口層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè)形成所述上電極層之后，于所述上電極層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)形成一保護(hù)層，于所述上電極層遠(yuǎn)離所述光吸收層的一側(cè)形成一減反射膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
