[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

有效

• 申請號: 201710608317.7
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107658210B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 中谷公彥;蘆原洋司;柄澤元;原田和宏
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，具有通過將下述循環重復多次，使第一原料與第二原料間歇地反應，從而在襯底上形成硅硼碳化膜的工序，

所述循環交替進行下述工序：

對表面具有凹部的襯底供給所述第一原料從而形成所述第一原料的吸附層的工序，所述第一原料滿足八隅體規則且具有第一熱分解溫度；和

對所述襯底供給第二原料，使所述第一原料的吸附層與所述第二原料反應從而使該第一原料的吸附層和第二原料分解，由此將所述第一原料的吸附層改性的工序，所述第二原料不滿足八隅體規則且具有比所述第一熱分解溫度低的第二熱分解溫度，

在形成所述硅硼碳化膜的工序中，使所述第一原料的供給量多于所述第二原料的供給量、并將所述第二原料的供給量相對于所述第一原料的供給量的比率設為0.5以下，

形成所述硅硼碳化膜的工序在當所述第一原料單獨存在時所述第一原料不發生熱分解且當所述第二原料單獨存在時所述第二原料不發生熱分解的條件下進行。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供給時間長于所述第二原料的供給時間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供給流量大于所述第二原料的供給流量。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的分壓大于所述第二原料的分壓。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，將所述第二原料的供給量相對于所述第一原料的供給量的比率設為0.2以下。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，將所述第二原料的供給量相對于所述第一原料的供給量的比率設為0.17以下。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述第二原料具有與所述第一原料的極性同等或比其更高的極性。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述第一原料包含第14族元素，所述第二原料包含第13族元素。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述第一原料包含硅，所述第二原料包含硼。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，形成所述膜的工序于250℃以上且400℃以下的溫度進行。

11.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，形成所述膜的工序于250℃以上且325℃以下的溫度進行。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述膜的工序中，對所述凹部進行所述膜的埋入。