[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

有效

• 申請號: 201710608317.7
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN107658210B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 中谷公彥;蘆原洋司;柄澤元;原田和宏
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。通過將下述循環重復多次，使第一原料與第二原料間歇地反應，從而在襯底上形成膜的工序，循環交替進行下述工序：對襯底供給第一原料的工序，第一原料滿足八隅體規則且具有第一熱分解溫度；和對襯底供給第二原料的工序，第二原料不滿足八隅體規則且具有比第一熱分解溫度低的第二熱分解溫度，在形成膜的工序中，使第一原料的供給量多于第二原料的供給量。通過本發明，能夠提高在襯底上形成的膜的階梯被覆性。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。

背景技術

作為半導體器件的制造工序的一個工序，有時進行下述處理：對襯底供給多種原料并使它們反應，從而在襯底上形成膜(例如，參見專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-186275號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的在于提供能夠提高在襯底上形成的膜的階梯被覆性的技術。

用于解決問題的手段

根據本發明的一個方式，提供一種技術，所述技術具有通過將下述循環重復多次，使第一原料與第二原料間歇地反應，從而在襯底上形成膜的工序，所述循環交替進行下述工序：對襯底供給所述第一原料的工序，所述第一原料滿足八隅體規則且具有第一熱分解溫度；和對所述襯底供給第二原料的工序，所述第二原料不滿足八隅體規則且具有比所述第一熱分解溫度低的第二熱分解溫度，其中，在形成所述膜的工序中，使所述第一原料的供給量多于所述第二原料的供給量。

發明效果

通過本發明，能夠提高在襯底上形成的膜的階梯被覆性。

附圖說明

圖1是本發明的一種實施方式中優選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構成圖，是用縱剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖2是本發明的一種實施方式中優選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構成圖，是用圖1的A-A線剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖3是本發明的一種實施方式中優選使用的襯底處理裝置的控制器的概略構成圖，是用框圖表示控制器的控制系統的圖。

圖4中(a)是表示本發明的一種實施方式的成膜順序的圖，(b)是表示其變形例的圖。

圖5中(a)(b)分別是實施成膜處理后的襯底的剖面放大圖。

圖6中(a)是表示與原料氣體的熱分解特性相關的評價結果的圖，(b)是表示與原料氣體的供給比率與階梯被覆性間的關系相關的評價結果的圖。

附圖標記說明

200晶片(襯底)

201處理室

具體實施方式

本發明的一種實施方式

以下，使用圖1～圖3對本發明的一個實施方案進行說明。

(1)襯底處理裝置的構成

如圖1所示，處理爐202具有作為加熱手段(加熱機構)的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，通過支承于保持板而垂直地安裝。加熱器207也作為利用熱來使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)發揮功能。