[發(fā)明專利]一種沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710608226.3 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN107227445B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 華偉剛;曲士廣 | 申請(專利權(quán))人: | 曲士廣;華偉剛 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/04 |
| 代理公司: | 沈陽優(yōu)普達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 張志偉 |
| 地址: | 264003 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 沉積 內(nèi)壁 涂層 電弧 離子鍍 設(shè)備 | ||
本發(fā)明屬于管內(nèi)壁薄膜沉積領(lǐng)域,具體來講是一種沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備。該設(shè)備包括置于真空室內(nèi)的管狀等離子靶材,管狀真空聚焦永磁體,等離子弧引弧裝置,其中,管狀等離子靶材的兩端通過絕緣密封法蘭與真空室殼連接上,管狀工件非接觸套于管狀等離子靶材上,兩組以上的管狀真空聚焦永磁體在管狀等離子靶材管內(nèi)沿管向按反向磁極順序排放,聚焦控制分布電弧,離化弧靶材料。本發(fā)明可將鍍膜材料的陰離子導(dǎo)入到管內(nèi)壁更深的區(qū)域。本發(fā)明解決電弧離子鍍沉積深管內(nèi)壁深度不夠、涂層不均勻的難題,提出一種在現(xiàn)有電弧離子鍍技術(shù)的基礎(chǔ)上制作簡單、成本低廉、易于實施的設(shè)計思路,拓展電弧離子鍍技術(shù)在沉積管內(nèi)壁方面的應(yīng)用范圍。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于管內(nèi)壁薄膜沉積領(lǐng)域,具體來講是一種沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備。
背景技術(shù)
電弧離子鍍(AIP)作為一種相對較新的物理氣相沉積(PVD)薄膜的技術(shù)(也稱為真空弧光蒸鍍、多弧離子鍍)由于鍍層質(zhì)量高、結(jié)合力好、成膜均勻、沉積速率快等優(yōu)點,在機械工業(yè)、冶金、高溫防護、裝飾材料等方面得到廣泛應(yīng)用。
電弧離子鍍的基本組成包括真空鍍膜室、陰極弧源、工件、真空系統(tǒng)等。電弧離子鍍的技術(shù)原理主要基于冷陰極真空放電理論,陰極弧源產(chǎn)生的金屬等離子體自動維持陰極和鍍膜室之間的弧光放電,弧斑的電流密度可達105~107A/cm2。在陰極附近形成的金屬等離子體主要由電子、正離子、熔滴和中性金屬原子組成,其中原子僅占很小比例,一般低于2%。對于單元素金屬靶材,離子比例大約可達30%~100%,離子的動能一般在10eV~100eV范圍內(nèi)。
長期以來,電弧離子鍍的研究集中在刀具、各種軸類、葉片等工件外表面沉積硬質(zhì)涂層、裝飾涂層、防護涂層方面,對于內(nèi)表面的鍍膜技術(shù)研究甚少。而在工業(yè)應(yīng)用中,需要對內(nèi)表面做改性處理的工件還有很多,尤其是管內(nèi)壁的表面改性,例如:輸油管道、化工管道、汽車的汽缸套、管狀模具、各種槍管、炮筒等。這些工件因未經(jīng)過有效的內(nèi)表面改性,常常造成內(nèi)壁的磨損和腐蝕而失效。因此研究出一種切實有效的電弧離子鍍沉積管內(nèi)壁涂層的技術(shù),是電弧離子鍍領(lǐng)域亟待解決的難題之一。
對于電弧離子鍍沉積管內(nèi)壁涂層,其困難主要在于,由于口徑較小的管口對于等離子體具有屏蔽作用,陰極弧源噴射出的等離子體的濃度在管內(nèi)空腔隨著管深的增加而逐漸降低,不能得到連續(xù)均勻的薄膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備,在現(xiàn)有電弧離子鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上,通過改進結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)在深管內(nèi)壁上制備出均勻、連續(xù)涂層的要求的沉積管內(nèi)壁涂層。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:
一種沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備,該設(shè)備包括置于真空室內(nèi)的管狀等離子靶材、管狀真空聚焦永磁體、等離子弧引弧裝置;其中,管狀等離子靶材的兩端通過絕緣密封法蘭與真空室殼連接上,管狀工件非接觸套于管狀等離子靶材上,兩組以上的管狀真空聚焦永磁體在管狀等離子靶材管內(nèi)沿管向按反向磁極順序排放,聚焦控制分布電弧,離化弧靶材料。
所述的沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備,等離子弧引弧裝置通過絕緣密封法蘭安裝在真空室上,等離子弧引弧裝置包括露于真空室外部的旋轉(zhuǎn)柄以及位于真空室內(nèi)與旋轉(zhuǎn)柄連接的引弧針,等離子弧引弧裝置通過引弧針與直流電源的負極相通,等離子弧引弧裝置通過旋轉(zhuǎn)觸發(fā)引弧。
所述的沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備,真空室殼體與管狀等離子靶材之間連接有直流電源,真空室殼體與直流電源的正極相連,管狀等離子靶材與直流電源的負極相連,管狀等離子靶材兩端連接偱環(huán)水冷卻裝置。
所述的沉積管內(nèi)壁涂層的電弧離子鍍設(shè)備,絕緣密封法蘭包括一面凹形的法蘭I與一面凸形的法蘭II,法蘭I的凹形面與法蘭II的凸形面相對應(yīng),形成凹凸配合中間非接觸結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的設(shè)計思想是:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





