[發明專利]柔性OLED顯示器件及制作方法有效
| 申請號: | 201710606853.3 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN107546246B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 張明;王杲禎 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 oled 顯示 器件 制作方法 | ||
本發明提供一種柔性OLED顯示器件及其制作方法,包括以下步驟:首先,在制備有陽極金屬的襯底基板上制備一有機膜層,經圖案化后形成隔離柱;然后,在所述襯底基板上制備一無機膜層,所述無機膜層經圖案化后形成覆蓋所述隔離柱的隔離膜;最后,在所述襯底基板上涂覆一層第一光刻膠。所述隔離膜貼合于所述隔離柱表面,使所述隔離柱與所述隔離膜表面的所述第一光刻膠隔離,以解決現有技術的柔性OLED顯示器件在切割操作后,因像素界定層和光刻膠都為有機材料,剝離液剝離光刻膠時容易誤剝離,污染蒸鍍腔,甚至影響薄膜分裝的成膜連續性和穩定性的技術問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性OLED顯示器件及其制作方法。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器件相對于LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示屏),具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點。
隨著柔性OLED受歡迎程度的增大,關于柔性OLED的開發也日益豐富。在目前OLED顯示器件仍主流采用蒸鍍,受限于光罩的形變問題導致蒸鍍基板的面板難以與陣列基板尺寸相匹配。在從陣列基板制程到蒸鍍制程時一般會用到裁切,為避免裁切過程中產生的碎屑等粒子帶入到蒸鍍腔,一般會用光刻膠保護。因此先會在像素界定層上涂覆一層光刻膠保護,在切割后采用剝離劑剝離。
為減少電致發光層蒸鍍混色/串擾的問題,像素界定層的厚度一般在um(微米)量級,此厚度若完全采用無機層制備則產品的柔性會受到威脅,一般像素界定層和光刻膠都為有機材料,剝離液剝離光刻膠時容易誤剝離,這不僅會污染蒸鍍腔,甚至會影響薄膜分裝的成膜連續性和穩定性。
綜上所述,現有技術的柔性OLED顯示器件的制作方法,在切割操作后采用剝離劑剝離光刻膠時,因像素界定層和光刻膠都為有機材料,剝離液剝離光刻膠時容易誤剝離,污染蒸鍍腔,甚至影響薄膜分裝的成膜連續性和穩定性。
發明內容
本發明提供一種柔性OLED顯示器件及其制作方法,能夠在使用剝離液剝離光刻膠時避免柔性OLED顯示器件中的部分部件被誤剝離。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供一種柔性OLED顯示器件的制作方法,包括在襯底基板上制作陽極金屬的步驟,所述方法還包括以下步驟:
步驟S101、在所述襯底基板上制備一有機膜層,所述有機膜層經圖案化后形成隔離柱;
步驟S102、在所述襯底基板上制備一無機膜層,所述無機膜層經圖案化后形成覆蓋所述隔離柱的隔離膜;
步驟S103、在所述襯底基板上涂覆一層第一光刻膠。
根據本發明一優選實施例,所述步驟S101包括:在所述有機膜層上涂覆一層第二光刻膠,將所述第二光刻膠進行曝光、顯影以形成第二光刻膠圖案,然后將所述有機膜層未覆蓋所述第二光刻膠的部分進行蝕刻,最后將所述有機膜層表面的所述第二光刻膠進行剝離,形成隔離柱。
根據本發明一優選實施例,所述步驟S102包括:在所述無機膜層上涂覆一層第三光刻膠,將所述第三光刻膠進行曝光、顯影以形成第三光刻膠圖案,然后將所述無機膜層未覆蓋所述第三光刻膠的部分進行蝕刻,最后將所述無機膜層表面的所述第三光刻膠進行剝離,形成隔離膜。
根據本發明一優選實施例,制備所述有機膜層所采用的光罩和制備所述無機膜層所采用的光罩為同一光罩。
根據本發明一優選實施例,所述隔離膜貼合于所述隔離柱表面。
根據本發明一優選實施例,所述陽極金屬形成有陣列分布的多個陽極板,所述隔離柱與對應的所述隔離膜位于相鄰兩個所述陽極板之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





