[發(fā)明專利]一種Dy2(MoO4)3薄膜的直接制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710606777.6
• 申請(qǐng)日: 2017-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN107366009B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武曉鸝;張鐵;黃俊杰;鄒正光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C25D9/06
• 分類號(hào): C25D9/06;C01G39/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Dy₂(MoO₄)₃薄膜的直接制備方法，其特征在于具體步驟為：

(1)將Dy(NO₃)₃·6H₂O溶解于去離子水中配制成稀土離子濃度為0.005~1mol/L的稀土離子溶液，然后將乙二胺四乙酸（EDTA）或者檸檬酸按照與稀土離子總量的摩爾比為1~5:1的比例加入到上述稀土離子溶液中，再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH達(dá)到12.0~13.0，最后再加入Na₂MoO₄·2H₂O、KCl和HNO₃，其中Na₂MoO₄·2H₂O的加入量與稀土離子總量的摩爾比為1~5:1，KCl的加入量與稀土離子總量的摩爾比為1~50:1，HNO₃的加入量用于調(diào)節(jié)混合溶液的pH值為4~6，混合均勻后獲得電沉積溶液；

(2)將步驟(1)制得的電沉積溶液置于水浴中，攪拌使電沉積溶液的溫度達(dá)到30~80℃，獲得備用電沉積溶液；

(3)以表面鍍有透明導(dǎo)電層的玻璃作為工作電極即陽(yáng)極，Pt網(wǎng)作為對(duì)電極即陰極，Ag/AgCl/Cl^-電極作為參比電極，組成三電極體系；

(4)將步驟(3)組成的三電極體系插入步驟(2)獲得的備用電沉積溶液中，設(shè)置沉積電壓為2.2~3V，沉積時(shí)間為15min~3h，在透明導(dǎo)電層上沉積一層電沉積薄膜；

(5)將步驟(4)制得的電沉積薄膜分別用去離子水、無水乙醇沖洗，然后置于30~80℃的鼓風(fēng)干燥箱中干燥5min~24h；

(6)將步驟(5)干燥好的電沉積薄膜置于管式爐中進(jìn)行熱處理，設(shè)置升溫速率為1~10℃/min，升溫至300~700℃保溫0.5~10h，即制得Dy₂(MoO₄)₃薄膜；

所述透明導(dǎo)電層為ITO、FTO或者AZO。