[發明專利]量子點發光二極管及其制作方法與顯示器

有效

• 申請號: 201710602180.4
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN109285955B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 張東華;向超宇;張滔;辛征航;李樂
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 徐漢華

本發明提供了一種量子點發光二極管其及制作方法與顯示器。該量子點發光二極管，包括透明導電基板，所述透明導電基板具有正面與背面，所述透明導電基板的背面開設有盲孔，所述量子點發光二極管還包括覆蓋設于所述盲孔側壁上的內絕緣層、依次設于所述盲孔中的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和背電極層。本發明在透明導電基板的盲孔中制作空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和背電極層，從而可以隔絕量子點發光層與外界水氣接觸，避免發光薄層被侵蝕和破壞，延長器件壽命；并且透明導電基板正面厚度變薄，量子點發光層發出的光經過的路徑縮短，可以增加出光；該結構封裝簡易方便，便于批量自動化生產。

技術領域

本發明屬于發光二極管領域，更具體地說，是涉及一種量子點發光二極管、該量子點發光二極管的制作方法及使用該量子點發光二極管的顯示器。

背景技術

液晶是一種自身不能發光的物質，需借助要額外的光源才能工作，這一物理特性是無法改變的，因此液晶技術的“終極進化”自然需要從背光系統下手。QLED是“QuantumDot light Emitting Diode”的簡寫，中文譯名是量子點發光二極管，亦可稱量子屏顯示技術，原理是通過藍色LED光源照射量子點來激發紅光及綠光，QLED核心技術為“Quantum Dot(量子點)”，量子點由鋅、鎘、硒和硫原子構成。當前的QLED一般是玻璃基座上依次制作陽極層、空穴注射層、量子點發光層、電子傳送層和陰極層。然而這種結構量子點發光層易被外界水氣侵蝕和破壞。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管，以解決現有技術中存在的量子點發光二極管的量子點發光層易被外界水氣侵蝕和破壞的問題。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：提供一種量子點發光二極管，包括透明導電基板，所述透明導電基板具有正面與背面，所述透明導電基板的背面開設有盲孔，所述量子點發光二極管還包括覆蓋設于所述盲孔側壁上的內絕緣層、依次設于所述盲孔中的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和背電極層。

進一步地，還包括蓋設于所述背電極層上的外絕緣層，且所述外絕緣層與所述透明導電基板間隔開。

進一步地，所述內絕緣層的邊緣向外延伸至所述背面上，所述背電極層的周邊覆蓋設于所述內絕緣層的邊緣，所述背電極層與所述透明導電基板間隔開。

進一步地，所述內絕緣層的表面具有經離子轟擊的織構化結構。

進一步地，所述盲孔的側壁與該盲孔的底面之間的夾角大于等于90度。

進一步地，所述透明導電基板包括透明襯底和設于所述透明襯底背面的透明導電膜，所述透明襯底背面開設有凹槽，所述透明導電膜覆蓋所述凹槽的內表面。

進一步地，所述透明導電基板的厚度為1.5-2.5mm，所述盲孔的深度為所述透明導電基板的厚度的1/3至2/3。

本發明的另一目的在于提供如上所述的量子點發光二極管的制作方法，包括如下步驟：

預制：提供透明導電基板，所述透明導電基板的背面開設有盲孔；并清潔所述透明導電基板；

掩膜：在所述透明導電基板的背面于制作所述內絕緣層之外的區域涂覆菲林；

制作內絕緣層：在所述透明導電基板的背面未涂覆菲林區域采用化學氣相沉積法沉積制作出內絕緣層；

去掩膜：使用有機溶劑清洗掉制作有所述內絕緣層的所述透明導電基板上的所述菲林；

制中間層：在所述去掩膜步驟得到的所述透明導電基板的盲孔依次制作空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層和電子傳輸層；

制背電極：在所述制中間層步驟后的所述透明導電基板的背面上于所述盲孔外及所述內絕緣層外的區域覆蓋掩膜，然后制作出背電極層，再去除所述掩膜。