[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管及其制作方法與顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710602180.4
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN109285955B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設計）人: 張東華;向超宇;張?zhí)?/a>;辛征航;李樂
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 徐漢華

1.量子點發(fā)光二極管，包括透明導電基板，所述透明導電基板具有正面與背面，其特征在于：所述透明導電基板的背面開設有盲孔，所述量子點發(fā)光二極管還包括覆蓋設于所述盲孔側(cè)壁上的內(nèi)絕緣層、依次設于所述盲孔中的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和背電極層；所述內(nèi)絕緣層的表面具有經(jīng)離子轟擊的織構化結(jié)構。

2.如權利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于：還包括蓋設于所述背電極層上的外絕緣層，且所述外絕緣層與所述透明導電基板間隔開。

3.如權利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述內(nèi)絕緣層的邊緣向外延伸至所述背面上，所述背電極層的周邊覆蓋設于所述內(nèi)絕緣層的邊緣，所述背電極層與所述透明導電基板間隔開。

4.如權利要求1-3任一項所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述盲孔的側(cè)壁與該盲孔的底面之間的夾角大于等于90度。

5.如權利要求1-3任一項所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明導電基板包括透明襯底和設于所述透明襯底背面的透明導電膜，所述透明襯底背面開設有凹槽，所述透明導電膜覆蓋所述凹槽的內(nèi)表面。

6.如權利要求1-3任一項所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明導電基板的厚度為1.5-2.5mm，所述盲孔的深度為所述透明導電基板的厚度的1/3至2/3。

7.如權利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：

預制：提供透明導電基板，所述透明導電基板的背面開設有盲孔；并清潔所述透明導電基板；

掩膜：在所述透明導電基板的背面于制作所述內(nèi)絕緣層之外的區(qū)域涂覆菲林；

制作內(nèi)絕緣層：在所述透明導電基板的背面未涂覆菲林區(qū)域采用化學氣相沉積法沉積制作出內(nèi)絕緣層；

去掩膜：使用有機溶劑清洗掉制作有所述內(nèi)絕緣層的所述透明導電基板上的所述菲林；

制中間層：在所述去掩膜步驟得到的所述透明導電基板的盲孔依次制作空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層和電子傳輸層；

制背電極：在所述制中間層步驟后的所述透明導電基板的背面上于所述盲孔外及所述內(nèi)絕緣層外的區(qū)域覆蓋掩膜，然后制作出背電極層，再去除所述掩膜；

在所述制中間層步驟之前還包括離子轟擊步驟：采用等離子體轟擊所述內(nèi)絕緣層的表面。

8.顯示器，其特征在于，包括若干陣列設置的如權利要求1-6任一項所述的量子點發(fā)光二極管。