[發明專利]發光結構、顯示裝置及其制作方法在審
| 申請號: | 201710600933.8 | 申請日: | 2017-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN107331689A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 王慶賀;胡大慶;彭銳;蘇同上;李廣耀;張揚;王東方;袁廣才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/52;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319 | 代理人: | 辛姍姍 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 結構 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及發光結構、顯示裝置及其制作方法。
背景技術
隨著顯示設備的發展,有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因具有自發光、廣視角、高對比度、低耗電以及高反應速度等優點,而被廣泛應用于顯示技術領域,如應用于手機、數碼相機、DVD機等顯示設備。
對于某些便攜式的OLED電子顯示設備,如手機、手表等,由于顯示設備的電量存儲能力有限,顯示設備的帶電時間較短,因此上述問題的存在對顯示設備的功耗節能提出了要求,開發具有低功耗的OLED顯示設備是顯示設備發展的一個重要方向。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種發光結構,可以在較低的控制電壓下獲得較強的光源亮度,具有低功耗、帶電時間長等優點。
一方面,提供了一種發光結構,包括層疊設置的薄膜晶體管和有機發光二極管結構層;
所述薄膜晶體管設置有光敏半導體層,所述光敏半導體層將從所述有機發光二極管結構層接收的光線轉換成增強電流,所述增強電流用于增大由所述薄膜晶體管輸出至所述有機發光二極管結構層的控制電流。
進一步地,所述薄膜晶體管為垂直薄膜晶體管;
所述光敏半導體層形成在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間。
進一步地,所述垂直薄膜晶體管的漏極和所述有機發光二極管結構層的陽極為共電極結構。
進一步地,所述發光結構包括柔性襯底基板;所述垂直薄膜晶體管還包括層疊設置在所述柔性襯底基板上的柵極、柵極絕緣層和漏極絕緣層;
所述源極形成在所述柵極絕緣層上,所述漏極絕緣層形成在所述漏極上。
進一步地,所述柵極、所述源極和所述漏極分別為單層石墨烯層。
進一步地,所述發光結構包括柔性襯底基板;所述柔性襯底基板上形成有陣列排布的所述薄膜晶體管和所述有機發光二極管結構層。
進一步地,所述光敏半導體層為PDPPTzBT材料層、PQBOC8材料層或P3HT材料層。
另一方面,提供了一種顯示裝置,包括上述的發光結構。
另一方面,提供了一種制作上述的發光結構的方法,包括:
形成薄膜晶體管,形成的所述薄膜晶體管包括光敏半導體層;
在所述薄膜晶體管上形成有機發光二極管結構層。
進一步地,所述薄膜晶體管為垂直薄膜晶體管時,所述形成薄膜晶體管,形成的所述薄膜晶體管包括光敏半導體層包括:
選取柔性襯底基板;
在所述柔性襯底基板上依次形成柵極、柵極絕緣層和源極;
在所述源極上形成所述光敏半導體層;
在所述薄膜半導體層上依次形成漏極和漏極絕緣層。
進一步地,所述薄膜晶體管為垂直薄膜晶體管時,所述在所述薄膜晶體管上形成有機發光二極管結構層包括:
將所述有機發光二極管結構層的陽極與所述垂直薄膜晶體管的漏極同層設置,形成共電極結構。
與現有技術相比,本發明包括以下優點:
本發明提供了一種發光結構、顯示裝置及其制作方法。本發明提供的發光結構中,在柔性基板上層疊設置有薄膜晶體管和有機發光二極管結構層,薄膜晶體管內設置有光敏半導體層,光敏半導體層將從有機發光二極管結構層接收的光線轉換成增強電流,以增大由所述薄膜晶體管輸出至所述有機發光二極管結構層的控制電流,提高有機發光二極管結構層的發光亮度,因此本發明實施例提供的發光組件可以在較低的控制電壓下獲得較強的光源亮度,具有低功耗、帶電時間長等優點。
本發明實施例優選垂直薄膜晶體管形成發光結構,垂直薄膜晶體管的漏極和有機發光二極管結構層的陽極可以同層設置,形成共電極結構,從而簡化了發光結構的層結構,減小了發光結構的體積,降低了生產成本。同時共電極結構的設置也提高了發光結構的工作效率,提高了發光結構的性能。
基于本發明實施例提供的發光結構的結構組成及材料選擇,使得該發光結構還具有柔性、超薄、輕質、透明電子等特性,因此該發光結構便于攜帶,可應用于便攜式顯示設備的制備。
附圖說明
圖1是本發明實施例提供的一種發光結構的結構示意圖;
圖2是本發明實施例提供的另一種發光結構的結構示意圖;
圖3是本發明實施例提供的陣列排布的發光結構的結構示意圖。
圖4是本發明實施例提供的制作發光結構的方法流程圖;
圖5-圖7是本發明實施例在制作圖1所示的發光結構的過程中的結構示意圖。
附圖標記
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





