[發明專利]發光結構、顯示裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 201710600933.8
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107331689A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 王慶賀;胡大慶;彭銳;蘇同上;李廣耀;張揚;王東方;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/52;H01L51/48
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319
• 代理人: 辛姍姍

1.一種發光結構，其特征在于，包括層疊設置的薄膜晶體管和有機發光二極管結構層；

所述薄膜晶體管設置有光敏半導體層，所述光敏半導體層將從所述有機發光二極管結構層接收的光線轉換成增強電流，所述增強電流用于增大由所述薄膜晶體管輸出至所述有機發光二極管結構層的控制電流。

2.根據權利要求1所述的發光結構，其特征在于，所述薄膜晶體管為垂直薄膜晶體管；

所述光敏半導體層形成在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間。

3.根據權利要求2所述的發光結構，其特征在于，所述發光結構包括柔性襯底基板；所述垂直薄膜晶體管還包括層疊設置在所述柔性襯底基板上的柵極、柵極絕緣層和漏極絕緣層；

所述源極形成在所述柵極絕緣層上，所述漏極絕緣層形成在所述漏極上。

4.根據權利要求2所述的發光結構，其特征在于，所述垂直薄膜晶體管的漏極和所述有機發光二極管結構層的陽極為共電極結構。

5.根據權利要求4所述的發光結構，其特征在于，所述柵極、所述源極和所述漏極分別為單層石墨烯層。

6.根據權利要求1所述的發光結構，其特征在于，所述發光結構包括柔性襯底基板；所述柔性襯底基板上形成有陣列排布的所述薄膜晶體管和所述有機發光二極管結構層。

7.根據權利要求1所述的發光結構，其特征在于，所述光敏半導體層為PDPPTzBT材料層、PQBOC8材料層或P3HT材料層。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1～7所述的發光結構。

9.一種制作如權利要求1-7任一項所述的發光結構的方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶體管，形成的所述薄膜晶體管包括光敏半導體層；

在所述薄膜晶體管上形成有機發光二極管結構層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為垂直薄膜晶體管時，所述形成薄膜晶體管，形成的所述薄膜晶體管包括光敏半導體層包括：

選取柔性襯底基板；

在所述柔性襯底基板上依次形成柵極、柵極絕緣層和源極；

在所述源極上形成所述光敏半導體層；

在所述薄膜半導體層上依次形成漏極和漏極絕緣層。