[發明專利]形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710600282.2
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107799422B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 徐志安;楊育佳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

在半導體鰭的中間部分的頂面和側壁上形成偽柵極堆疊件；

形成間隔件層，包括：

位于所述偽柵極堆疊件的側壁上的第一部分；和

位于所述半導體鰭的一部分的頂面和側壁上的第二部分；

在所述間隔件層上執行注入，其中，在所述注入期間，所述間隔件層的所述第一部分的頂部部分被注入并且所述第一部分的下部部分未被注入；

在所述注入之后，執行退火；

所述退火之后，蝕刻被注入的所述間隔件層的第二部分和所述間隔件層的所述第一部分的所述頂部部分，其中，在所述蝕刻之后，保留未被注入的所述間隔件層的所述第一部分的所述下部部分；以及

在所述半導體鰭的側部上形成源極/漏極區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述注入期間，所述半導體鰭的頂部部分被非晶化，并且所述半導體鰭的非晶化的頂部部分通過所述退火被再結晶。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述注入期間，所述半導體鰭的側壁表面部分未被注入。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成與所述半導體鰭接觸的偽氧化物層，其中，當執行所述注入時，所述偽氧化物層的一部分介于所述間隔件層和所述半導體鰭之間；以及

在所述退火之后去除所述偽氧化物層的所述部分。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體鰭的頂面和側壁上形成偽氧化物層；以及

在所述注入之前，去除所述半導體鰭的頂面和側壁上的偽氧化物層的一部分。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，在550℃和1300℃之間的范圍內的溫度下執行所述退火。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述注入中，注入從氮離子、硼離子和氟離子中選擇的離子。

8.一種形成半導體器件的方法，包括：

在半導體鰭的中間部分的頂面和側壁上形成偽柵極堆疊件；

形成間隔件層包括：

位于所述偽柵極堆疊件的側壁上的第一部分；和

位于所述半導體鰭的頂面和側壁上的第二部分；

非晶化所述半導體鰭的頂部部分，其中，所述間隔件層覆蓋所述半導體鰭的非晶化的頂部部分，所述非晶化包括注入，在所述注入期間，所述間隔件層的所述第一部分的頂部部分被注入并且所述第一部分的下部部分未被注入；

再結晶所述非晶化的頂部部分；

蝕刻被注入的所述間隔件層的第二部分和所述間隔件層的所述第一部分的所述頂部部分，其中，在所述蝕刻之后，保留未被注入的所述間隔件層的所述第一部分的所述下部部分；以及

在所述半導體鰭的側部上形成源極/漏極區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非晶化包括所述注入，以向所述半導體鰭的頂部部分注入離子。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述非晶化期間，貫穿所述半導體鰭上的間隔件層的部分注入離子。

11.根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成與所述半導體鰭接觸的偽氧化物層，其中，當非晶化所述半導體鰭的頂部部分時，所述偽氧化物層的一部分介于所述間隔件層和所述半導體鰭之間；以及

去除所述偽氧化物層的所述部分。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述半導體鰭的頂面和側壁上形成偽氧化物層；以及

在所述非晶化之前，去除所述偽氧化物層的一部分。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述再結晶包括在550℃和1300℃之間的范圍內的溫度下的退火。