[發明專利]襯底、處理襯底的方法以及處理室系統

有效

• 申請號: 201710600272.9
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107644808B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 姜浩英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L23/544;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

本發明公開了襯底的背面摩擦減小。處理室系統包括被配置成將襯底固定在第一處理室內的襯底安裝模塊。該系統還包括被配置成向襯底的正面表面施加光敏膜的第一沉積模塊以及被配置成向襯底的背面表面施加膜層的第二沉積模塊。襯底的正面表面與背面表面相反。襯底具有第一摩擦系數的裸背面表面。在襯底的背面表面上形成膜層。形成在襯底的背面表面上的膜層具有第二摩擦系數。第二摩擦系數低于第一摩擦系數。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年7月21日提交的第62/365,228號美國臨時申請的優先權，通過引用其全部內容被合并到本文中。

技術領域

本申請涉及襯底的處理，特別涉及用于減小襯底的背面摩擦的系統、襯底和方法。

背景技術

半導體工業中的集成電路(IC)的制造通常采用一系列處理步驟來對特征進行圖案化以在硅襯底上形成IC。迭代的圖案化處理會在圖案層之間引入未對準誤差，并且可能不會形成IC的實現預期目的圖案化特征。隨著IC幾何尺寸隨著時間的推移而減小，圖案未對準對器件良率和性能的影響已經增加。因此，降低圖案未對準的任何技術對IC制造商而言將是有利的。

本文提供的“背景”描述出于總體上給出本公開內容的上下文的目的。本申請發明人在該背景部分中描述的程度上的工作以及說明書的沒有以其他方式被限定為是提交時的常規技術的各個方面既不明確地也不暗示地被承認為是相對于本公開內容的常規技術。

發明內容

在一個實施方式中，一種處理襯底的方法包括將襯底容納于襯底處理室中。襯底具有正面表面以及與正面表面相反的背面表面。該方法還包括：在襯底的背面表面上形成膜層；在襯底的正面表面上形成光刻膠層；以及使光刻膠層顯影。該方法還包括從襯底的背面表面去除膜層。

前面的段落是通過一般性介紹的方式提供的，而并不意在限制所附權利要求書的范圍。通過參照結合附圖進行的以下詳細描述，將最好地理解所描述的實施方式連同另外的優點。

附圖說明

通過參照結合附圖考慮的以下詳細描述，本公開內容以及其很多附帶的優點會變得更好理解，從而將會容易地獲得對本公開內容以及其很多附帶的優點的更全面的理解。在附圖中：

圖1示出了根據一個實施方式的示例性處理系統；

圖2A示出了根據一個實施方式的被定位在卡盤上的示例性晶片；

圖2B示出了根據一個實施方式的固定至真空卡盤或靜電卡盤的晶片；

圖3示出了根據一個實施方式的晶片的紋理化表面；

圖4示出了根據一個實施方式的平坦地抵靠卡盤固定的晶片；

圖5A示出了根據一個實施方式的全氟癸基三氯硅烷(PFDS)分子；

圖5B示出了根據一個實施方式的具有鍵合至硅表面的PFDS分子的硅晶片；

圖6A示出了根據一個實施方式的未經背面處理的晶片；

圖6B示出了根據一個實施方式的具有背面含氟化合物涂層的晶片；

圖6C示出了根據一個實施方式的在施加含氟化合物涂層之前進行了預處理氧蝕刻的晶片；

圖7示出了根據一個實施方式的處理室的剖視圖；

圖8是根據一個實施方式的示例性計算設備的框圖；以及

圖9是根據一個實施方式的用于處理襯底的示例性方法的流程圖。

具體實施方式

下面的描述意在通過給出本公開內容的具體示例和實施方式來進一步闡明本公開內容。這些實施方式意在說明而非窮舉。本公開內容的全部范圍不限于說明書中公開的任何特定實施方式，而是由權利要求書限定。