[發明專利]襯底、處理襯底的方法以及處理室系統

有效

• 申請號: 201710600272.9
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107644808B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 姜浩英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L23/544;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

1.一種處理襯底的方法，所述方法包括：

將所述襯底容納于襯底處理室中，所述襯底具有正面表面以及與所述正面表面相反的背面表面；

在所述襯底的所述背面表面上形成膜層；

在所述襯底的所述正面表面上形成光刻膠層；

使所述光刻膠層顯影；以及

從所述襯底的所述背面表面去除所述膜層,

其中，在形成所述膜層之前，所述襯底的所述背面表面具有第一摩擦系數，

形成在所述襯底的所述背面表面上的所述膜層具有第二摩擦系數，以及

所述第二摩擦系數低于所述第一摩擦系數。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述膜層包括含氟化合物層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述含氟化合物層包括以下中之一：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟庚基三氯硅烷、全氟丁基三氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷或全氟癸基三甲氧基硅烷。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成膜層包括：

將所述背面表面暴露于含氟液體或氣體；以及

將所述正面表面暴露于維持在比所述含氟氣體或液體的壓力高的壓力處的氣體。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成膜層包括分子氣相沉積或分子液相沉積。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述去除膜層包括以下中之一：將所述膜層暴露于含氧氣體；將所述膜層暴露于含氧等離子體；或者將所述膜層暴露于含氧氣體和紫外光的組合。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述背面表面上形成膜層之前，將所述背面表面暴露于化學處理物質，其中，所述化學處理物質包括以下中之一：水、單原子氧、雙原子氧或三原子氧。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底的所述背面表面上形成所述膜層之后，將所述襯底固定至襯底卡盤，其中，在所述背面表面上形成所述膜層之前所述襯底的第一測量摩擦系數大于在所述背面表面上形成所述膜層之后所述襯底的第二測量摩擦系數。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，當襯底被固定至卡盤時，在具有附接至襯底的背面表面的膜層的襯底的第一彎曲和不具有附接至背面表面的膜層的襯底的第二彎曲期間，所述第一彎曲小于所述第二彎曲。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，當襯底被固定至卡盤時，在具有附接至襯底的背面表面的膜層的襯底的第一變形和不具有附接至背面表面的膜層的襯底的第二變形期間，所述第一變形小于所述第二變形。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，使所述光刻膠層顯影發生在將所述光刻膠層暴露于光化輻射的圖案之后，并且其中，在將所述光刻膠層暴露于光化輻射的圖案之前形成所述襯底的所述背面表面上的所述膜層。

12.一種襯底，包括：

襯底，所述襯底具有正面表面以及與所述正面表面相反的背面表面，其中，所述襯底的裸背面表面具有第一摩擦系數；以及

膜層，所述膜層形成在所述襯底的所述背面表面上，其中，形成在所述襯底的所述背面表面上的所述膜層具有第二摩擦系數，并且所述第二摩擦系數低于所述第一摩擦系數。

13.根據權利要求12所述的襯底，其中，當襯底被固定至襯底卡盤時，在具有所述裸背面表面的襯底的第一測量變形和具有形成在所述背面表面上的所述膜層的襯底的第二測量變形期間，所述第一測量變形大于所述第二測量變形。