[發明專利]半導體封裝件、制造其的方法以及電子裝置模塊

有效

• 申請號: 201710599427.1
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107818954B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 金泰賢;金錫慶;韓奎范;孫瓘后
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;金光軍

本發明提供一種半導體封裝件、制造其的方法以及電子裝置模塊。所述半導體封裝件包括：框架，包括通孔；電子組件，設置在所述通孔中；重新分配部，設置在所述框架和所述電子組件的下面；金屬層，設置在所述框架的內表面上；以及導電層，設置在所述金屬層和所述電子組件之間，并覆蓋所述框架和所述電子組件。

本申請要求于2016年9月12日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0117253號以及于2017年2月27日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0025308號韓國專利申請的優先權和權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術領域

以下描述涉及一種半導體封裝件、制造半導體封裝件的方法以及包括半導體封裝件的電子裝置模塊。

背景技術

近來，由于半導體封裝件被設計為輕量且緊湊，在電子組件運行時會導致電力損耗的散熱已成為一個重大問題。此外，由電子組件產生的熱會導致電子組件和半導體封裝件劣化，從而導致裝置可靠性降低以及裝置性能特性劣化的問題。

此外，由于小型化的趨勢，電子產品的尺寸已減小并且各種裝置之間的距離已因此而減小。因此，將現有技術的EMI屏蔽方法應用到尺寸減小的電子產品是有問題的。

因此，期望開發用于提高散熱和EMI屏蔽性能的結構以解決上述問題。

發明內容

提供本發明內容以按照簡化形式介紹發明構思的選擇，以下在具體實施方式中進一步描述發明構思。本發明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面，一種半導體封裝件包括：框架，所述框架包括通孔；電子組件，設置在所述通孔中；重新分配部，設置在所述框架和所述電子組件的下面；金屬層，設置在所述框架的內表面上；以及導電層，設置在所述金屬層和所述電子組件之間，并覆蓋所述框架和所述電子組件。

所述框架可包括由絕緣材料形成的芯以及設置在所述芯的上表面和下表面中的任一個或兩者上的導體層。

所述框架還可包括過孔，所述過孔被構造為將所述導體層電連接到所述重新分配部，并且所述金屬層和所述導電層可通過所述過孔連接到接地電極。

所述金屬層可包括銅(Cu)、鎳(Ni)以及包含Cu和Ni中的任意一種的合金中的任意一種。

所述導電層可包括導電環氧樹脂(例如，銀(Ag)環氧樹脂)和焊料材料中的任意一種。

所述半導體封裝件還可包括：結合輔助層，設置在所述導電層的下面，并被構造為幫助所述導電層結合。

所述導電層可包括焊料材料，并且所述結合輔助層可包括錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)以及包含Sn、Pb和Ag中的任意一種的合金中的任意一種。

所述重新分配部的下表面可具有設置在所述重新分配部中的焊球。

一種電子裝置模塊可包括：如上所述的半導體封裝件；以及電子裝置，安裝在所述半導體封裝件的側部上。

一種電子裝置模塊可包括：如上所述的半導體封裝件；以及疊層封裝件，安裝在所述半導體封裝件的側部上。

在另一總的方面，一種制造半導體封裝件的方法包括：在框架的內表面上形成金屬層；在設置于所述框架中的導通孔中形成過孔；在設置于所述框架中的通孔中設置電子組件；在所述電子組件和所述金屬層之間形成導電層，并且所述導電層覆蓋所述電子組件和所述框架；在所述框架和所述電子組件的下表面上形成重新分配部；以及在所述重新分配部的下表面上形成焊球。

所述方法還可包括：在所述框架的所述內表面上形成所述金屬層以及在所述導通孔中形成所述過孔之后，將載體構件結合到所述框架的下表面。