[發明專利]半導體封裝件、制造其的方法以及電子裝置模塊

有效

• 申請號: 201710599427.1
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107818954B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 金泰賢;金錫慶;韓奎范;孫瓘后
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;金光軍

1.一種半導體封裝件，包括：

框架，包括通孔；

電子組件，設置在所述通孔中；

重新分配部，設置在所述框架和所述電子組件的下面；

金屬層，設置在所述框架的內表面上；以及

導電層，設置在所述金屬層和所述電子組件之間，并覆蓋所述框架的上表面和所述電子組件的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述框架包括由絕緣材料形成的芯以及設置在所述芯的上表面和下表面中的任意一個或兩者上的導體層。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，

所述框架還包括過孔，所述過孔被構造為將所述導體層電連接到所述重新分配部，并且

所述金屬層和所述導電層通過所述過孔連接到接地電極。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述金屬層包括銅、鎳以及包含銅和鎳中的任意一種的合金中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述導電層包括導電環氧樹脂和焊料材料中的一種。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述導電環氧樹脂為銀環氧樹脂。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

結合輔助層，設置在所述導電層的下面，并被構造為幫助所述導電層結合。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，所述導電層包括焊料材料，并且

所述結合輔助層包括錫、鉛、銀以及包含錫、鉛和銀中的任意一種的合金中的任意一種。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述重新分配部的下表面具有設置在所述重新分配部中的焊球。

10.一種電子裝置模塊，包括：

如權利要求1-9中任一項所述的半導體封裝件；以及

電子裝置，安裝在所述半導體封裝件的側部上。

11.一種電子裝置模塊，包括：

如權利要求1-9中任一項所述的半導體封裝件；以及

疊層封裝件，安裝在所述半導體封裝件的一側上。

12.一種制造半導體封裝件的方法，包括：

在框架的內表面上形成金屬層；

在設置于所述框架中的導通孔中形成過孔；

在設置于所述框架中的通孔中設置電子組件；

在所述電子組件和所述金屬層之間形成導電層，并且所述導電層覆蓋所述電子組件的上表面和所述框架的上表面；

在所述框架和所述電子組件的下表面上形成重新分配部；以及

在所述重新分配部的下表面上形成焊球。

13.根據權利要求12所述的方法，所述方法還包括：在所述框架的所述內表面上形成所述金屬層以及在所述導通孔中形成所述過孔之后，將載體構件結合到所述框架的下表面。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述金屬層包括銅、鎳以及包含銅和鎳中的任意一種的合金中的任意一種。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，所述金屬層和所述導電層通過所述過孔連接到接地電極。

16.根據權利要求12所述的方法，其中，所述導電層包括導電環氧樹脂。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述導電環氧樹脂為銀環氧樹脂。