[發(fā)明專利]單側(cè)功率裝置封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710598826.6
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107768355B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙應(yīng)山
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L21/50
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

在一些示例中，電路封裝體包括絕緣層和延伸穿過所述絕緣層的第一晶體管，其中，所述第一晶體管包括在所述絕緣層的頂側(cè)的第一控制端子、在絕緣層的頂側(cè)的第一源極端子和在絕緣層的底側(cè)的第一漏極端子。所述電路封裝體還包括延伸穿過所述絕緣層的第二晶體管，其中，所述第二晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第二控制端子、在絕緣層的底側(cè)的第二源極端子和在絕緣層的頂側(cè)的第二漏極端子。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

表面貼裝技術(shù)(SMT：Surface-mount technology)是用于將構(gòu)件和裝置附接到印刷電路板(PCB：Printed circuit board)上的電子產(chǎn)品的制造方法。構(gòu)件和裝置可以焊接在PCB上，以通過PCB中的跡線提供穩(wěn)定性和電連接。跡線可以傳導(dǎo)電力，并為安裝在PCB上的構(gòu)件和裝置提供輸入和輸出。

發(fā)明內(nèi)容

本公開描述了用于電路封裝體的技術(shù)，該電路封裝體包括絕緣層和延伸穿過絕緣層的第一晶體管，其中,第一晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第一控制端子、在絕緣層的頂側(cè)的第一源極端子和在絕緣層的底側(cè)的第一漏極端子。電路封裝體還包括延伸穿過絕緣層的第二晶體管，其中，第二晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第二控制端子、在絕緣層的底側(cè)的第二源極端子和在絕緣層的頂側(cè)的第二漏極端子。

在一些示例中，一種方法包括：將第一晶體管附接到絕緣層，其中，第一晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第一控制端子、在絕緣層的頂側(cè)的第一漏極端子和在絕緣層的底側(cè)的第一源極端子。該方法還包括將第二晶體管附接到絕緣層，其中，第二晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第二控制端子、在絕緣層的底側(cè)的第二源極端子和在絕緣層的頂側(cè)的第二漏極端子。

在一些示例中，裝置包括絕緣層和延伸穿過絕緣層的第一晶體管，其中，第一晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第一控制端子、在絕緣層的頂側(cè)的第一源極端子和在絕緣層的底側(cè)的第一漏極端子。該裝置還包括延伸穿過絕緣層的第二晶體管，其中，第二晶體管包括在絕緣層的頂側(cè)的第二控制端子、在絕緣層的底側(cè)的第二源極端子和在絕緣層的頂側(cè)的第二漏極端子。該裝置還包括電感器和電連接到第一源極端子、第二漏極端子和電感器的導(dǎo)電路徑，其中，導(dǎo)電路徑未延伸到絕緣層中。

一個或多個示例的細(xì)節(jié)在附圖和下面的描述中闡述。其它特征、目的和優(yōu)點將從說明書和附圖以及權(quán)利要求書中示出。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開的一些示例的功率變換器的電路圖。

圖2是根據(jù)本公開的一些示例的具有兩個源極朝上的晶體管的電路封裝體的橫截面圖。

圖3是根據(jù)本公開的一些示例的具有兩個漏極朝上的晶體管的電路封裝體的橫截面圖。

圖4是根據(jù)本公開的一些示例的源極朝上的垂直晶體管的框圖。

圖5是根據(jù)本公開的一些示例的漏極朝上的垂直晶體管的框圖。

圖6是根據(jù)本公開的一些示例的電路封裝體的橫截面圖。

圖7是根據(jù)本公開的一些示例的電路封裝體和電感器的橫截面圖。

圖8-10是根據(jù)本公開的一些示例的電路封裝體的制造過程的透視圖。

圖11是根據(jù)本公開的一些示例的絕緣層中具有兩個垂直晶體管和四個垂直導(dǎo)電路徑的電路封裝體的透視圖。

圖12是示出根據(jù)本公開的一些示例的用于制造電路封裝體的示例性技術(shù)的流程圖。

具體實施方式