[發(fā)明專利]單側功率裝置封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710598826.6
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107768355B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 趙應山
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L21/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種電路封裝體，包括：

絕緣層；

延伸穿過所述絕緣層的第一晶體管，所述第一晶體管包括：

在絕緣層的頂側的第一控制端子，

在絕緣層的頂側的第一源極端子，以及

在絕緣層的底側的第一漏極端子；

延伸穿過所述絕緣層的第二晶體管，所述第二晶體管包括：

在絕緣層的頂側的第二控制端子，

在絕緣層的底側的第二源極端子，以及

在絕緣層的頂側的第二漏極端子；以及電連接到所述第一源極端子和所述第二漏極端子的第一水平導電路徑，其中，所述第一水平導電路徑未延伸到所述絕緣層中。

2.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，所述電路封裝體還包括延伸穿過所述絕緣層且電連接到第一水平導電路徑的垂直導電路徑。

3.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，所述電路封裝體還包括：

電連接到所述第一控制端子的第二水平導電路徑；以及

延伸穿過所述絕緣層的第一垂直導電路徑，其中，所述第二水平導電路徑與所述第一水平導電路徑電隔離。

4.根據(jù)權利要求3所述的電路封裝體，所述電路封裝體還包括電連接到所述第二控制端子的第三水平導電路徑和延伸穿過所述絕緣層的第二垂直導電路徑，其中，所述第三水平導電路徑與所述第一水平導電路徑和所述第二水平導電路徑電隔離。

5.根據(jù)權利要求4所述的電路封裝體，

其中，所述第一水平導電路徑被配置為與電感器導電，

所述電路封裝體還包括延伸穿過所述絕緣層的第三垂直導電路徑，其中，所述第三垂直導電路徑被配置為與所述電感器導電。

6.根據(jù)權利要求4所述的電路封裝體，其中：

所述第一水平導電路徑包括第一銅板；

所述第二水平導電路徑包括第二銅板；以及

所述第三水平導電路徑包括第三銅板。

7.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，其中：

所述第一晶體管包括離散n溝道垂直場效應晶體管(FET)；

所述第二晶體管包括離散n溝道垂直場效應晶體管(FET)；

所述第一控制端子包括第一柵極端子；以及

所述第二控制端子包括第二柵極端子。

8.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，其中：

所述第一漏極端子電連接到輸入節(jié)點；

所述第二源極端子與參考電壓電連接；以及

所述第一控制端子和所述第二控制端子電連接到驅動器電路。

9.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，所述電路封裝體還包括附接到所述第一晶體管和所述第二晶體管的預先形成的支撐結構，其中，所述預先形成的支撐結構包括至少兩個垂直導電路徑。

10.根據(jù)權利要求1所述的電路封裝體，其中，所述絕緣層包括FR4或沒有纖維增強的樹脂膜。

11.一種用于制造電路封裝體的方法，包括：

將第一晶體管連接到絕緣層，其中，所述第一晶體管包括：

在絕緣層的頂側的第一控制端子，

在絕緣層的底側的第一漏極端子，以及

在絕緣層的頂側的第一源極端子；

將第二晶體管連接到絕緣層，其中，所述第二晶體管包括：

在絕緣層的頂側的第二控制端子，

在絕緣層的底側的第二源極端子，以及

在絕緣層的頂側的第二漏極端子；

將第一水平導電路徑電連接到所述第一源極端子和所述第二漏極端子，其中，所述第一水平導電路徑未延伸到所述絕緣層中。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括：

形成延伸穿過所述絕緣層的第一垂直導電路徑；以及

將第二水平導電路徑電連接到所述第一控制端子和所述第一垂直導電路徑，其中，所述第二水平導電路徑與所述第一水平導電路徑電隔離。