[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710597803.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN109285889B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王彥;張海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在部分基底上形成若干犧牲層；

在所述犧牲層的側(cè)壁上形成側(cè)墻，在相鄰犧牲層和側(cè)墻之間形成第一開口；

在所述第一開口底部的基底上形成抬高層，所述抬高層覆蓋側(cè)墻的部分側(cè)壁；

去除所述犧牲層，形成暴露出基底的第二開口；

以所述側(cè)墻為掩膜，刻蝕第一開口底部的所述抬高層和基底、以及所述第二開口底部的基底，形成雙鰭部結(jié)構(gòu)，所述雙鰭部結(jié)構(gòu)包括位于第一開口底部的第三開口、第三開口底部的連接部以及位于第三開口和連接部?jī)蓚?cè)的鰭部，所述鰭部位于側(cè)墻底部；

形成雙鰭部結(jié)構(gòu)之后，去除所述側(cè)墻；

去除所述側(cè)墻之后，形成橫跨鰭部和第三開口的柵極結(jié)構(gòu)，且所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部頂部以及第三開口的部分側(cè)壁和底部表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，以所述側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述第二開口底部的基底，在所述基底內(nèi)形成第四開口，所述第四開口底部的基底表面低于所述第三開口底部的連接部表面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，犧牲層的形成步驟包括：在所述基底上形成犧牲膜；圖形化所述犧牲膜，形成所述犧牲層；所述犧牲膜的材料包括：無(wú)定形碳、光刻膠或者底部抗反射層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的形成步驟包括：在所述基底上、犧牲層的側(cè)壁和頂部表面形成側(cè)墻膜；去除位于基底上和犧牲層頂部表面的側(cè)墻膜，形成所述側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料包括：氧化硅或者氮化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的厚度為：5納米～30納米。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述基底的材料包括絕緣體上硅，所述絕緣體上硅包括第一基底部、第一基底部上的絕緣層以及位于絕緣層上的第二基底部；所述第二基底部的材料為單晶半導(dǎo)體材料。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，以所述側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述第二開口底部的第二基底部，直至暴露出所述絕緣層為止。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述單晶半導(dǎo)體材料包括：硅、硅鍺、碳化硅或者Ⅲ-Ⅴ族元素的單晶化合物。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述抬高層的形成工藝包括：外延生長(zhǎng)工藝；所述抬高層的材料包括：硅、硅鍺、碳化硅或者Ⅲ-Ⅴ族元素的單晶化合物。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述抬高層的材料為硅時(shí)，所述外延生長(zhǎng)工藝的參數(shù)包括：外延氣體包括硅烷，溫度為700攝氏度～800攝氏度，時(shí)間為20分鐘～50分鐘。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述抬高層的厚度為：5納米～20納米。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，沿垂直于側(cè)墻側(cè)壁的方向上，所述抬高層的尺寸為：5納米～25納米。