[發(fā)明專利]用于生產(chǎn)半導(dǎo)體模塊的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710595464.5
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN107640737B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E.菲爾古特;B.戈勒;M.萊杜特克;D.邁爾;C.馮韋希特
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;杜荔南

1.一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體模塊的方法，所述方法包括：

制備包括第一模制化合物的半導(dǎo)體板，所述第一模制化合物具有嵌入在其中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置，其中針對每個(gè)半導(dǎo)體裝置，第一模制化合物都限定圍繞內(nèi)部空間的側(cè)壁；

制備包括第二模制化合物的蓋板，所述第二模制化合物包括多個(gè)蓋，其中每個(gè)蓋都通過形成在所述第二模制化合物之內(nèi)的腔來限定；

將所述蓋板接合到所述半導(dǎo)體板上，使得所述蓋中的每個(gè)都覆蓋所述半導(dǎo)體裝置中的一個(gè)或多個(gè)；以及

將所連接的板的第一模制化合物和第二模制化合物單片化成多個(gè)半導(dǎo)體模塊；

其中，制備所述蓋板包括澆注。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述半導(dǎo)體裝置中的每個(gè)都包括傳感器裝置。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，

所述半導(dǎo)體裝置中的每個(gè)都包括下面的一種或多種傳感器：壓力傳感器、震動傳感器、加速度傳感器、溫度傳感器、氣體傳感器、濕度傳感器、磁場傳感器、電場傳感器或光學(xué)傳感器。

4.如前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，

所述半導(dǎo)體裝置中的每個(gè)都包括MEMS裝置。

5.如前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，

所述半導(dǎo)體板是重新配置的晶片，所述重新配置的晶片通過處理半導(dǎo)體晶片中的多個(gè)半導(dǎo)體芯片、對所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行切塊并且將所述半導(dǎo)體芯片嵌入封裝材料中來獲得。

6.如前述權(quán)利要求之一所述的方法，進(jìn)一步包括：

制備所述蓋板包括提供具有導(dǎo)電性的所述蓋或其部分。

7.一種半導(dǎo)體模塊，其包括：

半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括嵌有半導(dǎo)體本體的第一模制化合物，其中第一模制化合物限定圍繞內(nèi)部空間的側(cè)壁；和

由第二模制化合物形成的蓋，所述蓋布置在所述半導(dǎo)體裝置上方，使得所述蓋的垂直壁與所述第一模制化合物的側(cè)壁對齊；

其中，通過將包括多個(gè)蓋的所澆注的蓋板接合到包括多個(gè)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體板上，并且通過將所連接的板單片化成多個(gè)半導(dǎo)體模塊，制備所述半導(dǎo)體模塊。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體裝置包括傳感器裝置。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體裝置包括下面的一種或多種傳感器：壓力傳感器、震動傳感器、加速度傳感器、溫度傳感器、氣體傳感器、濕度傳感器、磁場傳感器、電場傳感器或光學(xué)傳感器。

10.如權(quán)利要求7至9之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體裝置包括MEMS裝置。

11.如權(quán)利要求7至9之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體模塊包括兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體裝置。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體模塊包括傳感器裝置和另外的電子裝置，其中所述另外的電子裝置與所述傳感器裝置連接，并且所述另外的電子裝置被配置為給所述傳感器裝置提供電源和/或從所述傳感器裝置讀出電信號。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述另外的電子裝置是ASIC裝置。