[發明專利]一種環形振蕩器

有效

• 申請號: 201710594986.3
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN107517045B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 吳建東;吳為敬;姚若河
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H03K3/03
• 分類號: H03K3/03
• 代理公司: 44245 廣州市華學知識產權代理有限公司
• 代理人: 王東東

1.一種環形振蕩器，其特征在于，包括N級偽CMOS自舉反相器，所述偽CMOS自舉反相器包括自舉電容(C1)及四個信號端口，所述四個信號端口分別為反相輸入口(INn)、正相輸入口(INp)、第一輸出口(OUT1)及第二輸出口(OUT2)，所述自舉電容(C1)的一端連接第一輸出口(OUT1)，另一端連接第二輸出口(OUT2)；

所述偽CMOS自舉反相器還包括第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)、第三晶體管(M3)及第四晶體管(M4)，其中第一晶體管(M1)及第二晶體管(M2)構成第二反相器，第三晶體管(M3)及第四晶體管(M4)構成第一反相器；

所述第一晶體管(M1)的漏極與電源(VDD)連接，其柵極作為正相輸入口(INp)，其源極與第二晶體管(M2)的漏極連接，作為第二輸出口(OUT2)，輸出電壓為第二反相器的輸出電壓(VOUT2)；

第二晶體管(M2)的柵極作為反相輸入口(INn)，其源極與接地端(GND)連接；

第三晶體管(M3)的漏極與電源(VDD)連接，其柵極與第一晶體管(M1)的源極連接，其源極與第四晶體管(M4)的漏極連接，同時作為第一輸出口(OUT1)，其輸出電壓為第一反相器的輸出電壓(VOUT1)；

第四晶體管(M4)的柵極與第二晶體管(M2)的柵極連接，其源極與接地端(GND)連接。

2.根據權利要求1所述的一種環形振蕩器，其特征在于，所述N級偽CMOS自舉反相器，N為大于3的奇數，具體連接方式為：

第一級至第N-1級偽CMOS自舉反相器的第一輸出口(OUT1)與下一級偽CMOS自舉反相器的反向輸入口(INn)連接，最后第N級偽CMOS自舉反相器的第一輸出口(OUT1)與第一級偽CMOS自舉反相器的反向輸入口(INn)連接，構成環形結構；

第一級至第N-2級偽CMOS自舉反相器的第二輸出口(OUT2)與第N+2級偽CMOS自舉反相器的正向輸入口(INp)連接，第N級偽CMOS自舉反相器的第二輸出口(OUT2)與第二級偽CMOS自舉反相器的正向輸入口(INp)連接，所述第N-1級偽CMOS自舉反相器的第二輸出口(OUT2)與第一級偽CMOS自舉反相器的正向輸入口(INp)連接，構成環形結構。

3.根據權利要求1-2任一項所述的一種環形振蕩器，其特征在于，晶體管為N型薄膜晶體管。