[發(fā)明專利]一種測試標(biāo)片制作方法及測試標(biāo)片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710594645.6 | 申請日: | 2017-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN109285895A | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王雪亮;胡冰峰;羅茂盛 | 申請(專利權(quán))人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司;太倉海潤太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 測試 細(xì)柵 印刷 二次燒結(jié) 正面印刷 主柵 背面 制作 晶體硅太陽能電池 使用壽命 外界氧氣 延長測試 一次燒結(jié) 燒結(jié) 背場 背極 刻蝕 制絨 磨損 衰減 擴(kuò)散 制造 | ||
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域,尤其涉及一種測試標(biāo)片制作方法及測試標(biāo)片。其中,測試標(biāo)片制作方法包括:對硅片的雙面進(jìn)行制絨;對硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散;對硅片的雙面進(jìn)行邊緣刻蝕;在硅片的正面印刷細(xì)柵;對硅片進(jìn)行一次燒結(jié);對硅片的正面鍍減反膜;在硅片的背面印刷背極;在硅片的背面印刷背場;在硅片的正面印刷主柵;對硅片進(jìn)行二次燒結(jié)。通過在鍍減反膜之前先進(jìn)行細(xì)柵的印刷和一次燒結(jié),在鍍減反膜之后進(jìn)行主柵的印刷和二次燒結(jié),測試標(biāo)片在使用的過程中能夠減少細(xì)柵與外界氧氣的接觸,避免細(xì)柵的磨損,從而降低測試標(biāo)片在使用過程中的衰減,延長測試標(biāo)片的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域,尤其涉及一種測試標(biāo)片制作方法及測試標(biāo)片。
背景技術(shù)
光電轉(zhuǎn)換效率是太陽能電池的重要產(chǎn)品指標(biāo),太陽能電池制造商會在太陽能電池片出廠前對此指標(biāo)進(jìn)行測試,獲得的效率稱為出廠效率,根據(jù)不同的出廠效率以不同的價(jià)格賣給購買商。購買商在收到產(chǎn)品后,也會對太陽能電池進(jìn)行效率測試,所測得效率稱為檢驗(yàn)效率,如果檢驗(yàn)效率與出廠效率不符合,便會引起制造商和購買商之間的糾紛。所以太陽能電池效率測試的準(zhǔn)確性在光伏行業(yè)中起著十分重要的作用。
獲得光電轉(zhuǎn)換效率的方式如下:準(zhǔn)備一張?zhí)柲茈姵販y試標(biāo)片,通過調(diào)整測試機(jī)的光強(qiáng)、溫度補(bǔ)償系數(shù)等參數(shù),使標(biāo)片的測試值等于其標(biāo)稱效率,從而完成測試機(jī)的校準(zhǔn)。然而,隨著太陽能電池測試標(biāo)片的使用次數(shù)增多,其上設(shè)置的細(xì)柵不斷的磨損及氧化,標(biāo)片的測試效率發(fā)生衰減,使測試效率偏離標(biāo)稱效率,造成測試標(biāo)片的使用壽命較短。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提出一種測試標(biāo)片制作方法,用來解決測試標(biāo)片使用壽命短的問題。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提出一種測試標(biāo)片,用來解決現(xiàn)有的測試標(biāo)片使用壽命短的問題。
為達(dá)此目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種測試標(biāo)片制作方法,包括以下步驟:
步驟A:對硅片的雙面進(jìn)行制絨;
步驟B:對步驟A處理后的硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散;
步驟C:對步驟B處理后的硅片的雙面進(jìn)行邊緣刻蝕;
步驟D:在步驟C處理后的硅片的正面印刷細(xì)柵;
步驟E:對步驟D處理后的硅片進(jìn)行一次燒結(jié);
步驟F:對步驟E處理后的硅片的正面鍍減反膜;
步驟G:在步驟F處理后的硅片的背面印刷背極;
步驟H:在步驟G處理后的硅片的背面印刷背場;
步驟I:在步驟H處理后的硅片的正面印刷主柵;
步驟J:對步驟I處理后的硅片進(jìn)行二次燒結(jié)。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟D中印刷所述細(xì)柵的漿料為非燒穿型漿料。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟D在印刷所述細(xì)柵的同時(shí)還印刷定位點(diǎn),所述定位點(diǎn)用于印刷所述主柵時(shí)的定位。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟D中印刷的所述細(xì)柵為多條,多條所述細(xì)柵平行設(shè)置。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟I中印刷的所述主柵與步驟D中印刷的所述細(xì)柵相垂直。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟I中印刷所述主柵的漿料為燒穿型漿料。
作為一種測試標(biāo)片制作方法的優(yōu)選方案,步驟F中的所述減反膜為氮化硅的薄膜。
一種測試標(biāo)片,應(yīng)用如上所述的測試標(biāo)片制作方法制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





