[發明專利]一種測試標片制作方法及測試標片在審
| 申請號： | 201710594645.6 | 申請日： | 2017-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN109285895A | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 王雪亮;胡冰峰;羅茂盛 | 申請（專利權）人： | 奧特斯維能源（太倉）有限公司;太倉海潤太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215434 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 測試 細柵 印刷 二次燒結 正面印刷 主柵 背面 制作 晶體硅太陽能電池 使用壽命 外界氧氣 延長測試 一次燒結 燒結 背場 背極 刻蝕 制絨 磨損 衰減 擴散 制造 | ||
1.一種測試標片制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟A：對硅片(1)的雙面進行制絨；
步驟B：對步驟A處理后的硅片(1)的正面進行擴散；
步驟C：對步驟B處理后的硅片(1)的雙面進行邊緣刻蝕；
步驟D：在步驟C處理后的硅片(1)的正面印刷細柵(1)；
步驟E：對步驟D處理后的硅片(1)進行一次燒結；
步驟F：對步驟E處理后的硅片(1)的正面鍍減反膜(2)；
步驟G：在步驟F處理后的硅片(1)的背面印刷背極；
步驟H：在步驟G處理后的硅片(1)的背面印刷背場；
步驟I：在步驟H處理后的硅片(1)的正面印刷主柵(3)；
步驟J：對步驟I處理后的硅片(1)進行二次燒結。
2.根據權利要求1所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟D中印刷所述細柵(1)的漿料為非燒穿型漿料。
3.根據權利要求1所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟D在印刷所述細柵(1)的同時還印刷定位點(5)，所述定位點(5)用于印刷所述主柵(3)時的定位。
4.根據權利要求1所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟D中印刷的所述細柵(1)為多條，多條所述細柵(1)平行設置。
5.根據權利要求1～4任一項所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟I中印刷的所述主柵(3)與步驟D中印刷的所述細柵(1)相垂直。
6.根據權利要求1～4任一項所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟I中印刷所述主柵(3)的漿料為燒穿型漿料。
7.根據權利要求1～4任一項所述的測試標片制作方法，其特征在于，步驟F中的所述減反膜(2)為氮化硅的薄膜。
8.一種測試標片，其特征在于，應用如權利要求1～7任一項所述的測試標片制作方法制成。
9.根據權利要求8所述的測試標片，其特征在于，包括硅片(4)，所述硅片(4)的正面由下至上依次設置有細柵(1)、減反膜(2)以及主柵(3)，所述細柵(1)與所述主柵(3)相連接。
10.根據權利要求8所述的測試標片，其特征在于，所述細柵(1)的外部包裹有減反膜(2)，所述細柵(1)與所述主柵(3)接觸處無減反膜(2)，實現所述細柵(1)與所述主柵(3)的連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
