[發(fā)明專利]檢查設(shè)備和使用其的檢查方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710588656.3 | 申請日: | 2017-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN108257886B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁晶馥 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢查 設(shè)備 使用 方法 | ||
1.一種檢查封裝層中的缺陷的方法,包括:
將光通過棱鏡照射至所述封裝層;
使用拍攝單元掃描所述封裝層的檢查區(qū)域;
由所述拍攝單元接收從所述封裝層反射的反射光;
將由所述拍攝單元接收的所述反射光轉(zhuǎn)換成光強(qiáng)度;
通過將所述封裝層的對應(yīng)于所述光強(qiáng)度的厚度與所述封裝層的預(yù)定厚度進(jìn)行比較來檢測所述封裝層的缺陷,
其中所述封裝層為透明膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述方法還包括:
通過所述棱鏡將來自光源的光分開形成光譜;
通過鏡子將所分開的光朝向所述封裝層反射;以及
使來自所述封裝層的反射光通過所述鏡子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中來自所述光源的光的波長在400nm至900nm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述鏡子包括半反射鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述拍攝單元包括線掃描相機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在掃描所述封裝層的不同的檢查區(qū)域的同時實(shí)施所述通過將所述封裝層的對應(yīng)于所述光強(qiáng)度的厚度與所述封裝層的預(yù)定厚度進(jìn)行比較來檢測所述封裝層的缺陷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在有機(jī)發(fā)光面板的后處理之前執(zhí)行所述檢查方法。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述將光照射至所述封裝層還包括經(jīng)在所述鏡子上方或者下方的透鏡照射所述光。
9.一種用于檢查有機(jī)發(fā)光面板的封裝層中的缺陷的檢查設(shè)備,包括:
光學(xué)檢查單元,包括:
棱鏡,其構(gòu)造為將由光源發(fā)射的光分開形成光譜;
鏡子,其構(gòu)造為使所分開的光朝向所述封裝層反射;
拍攝單元,其構(gòu)造為接收從所述封裝層反射的反射光,并且將所述反射光轉(zhuǎn)換成光強(qiáng)度;以及
檢測單元,其構(gòu)造為通過將所述封裝層的對應(yīng)于所述光強(qiáng)度的厚度與所述封裝層的預(yù)定厚度進(jìn)行比較來檢測所述封裝層的缺陷,
其中所述封裝層為透明膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中從所述光源發(fā)射的所述光的波長在400nm至900nm的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述鏡子包括半反射鏡。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述鏡子包括角度調(diào)整單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述封裝層包括顆粒覆蓋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述拍攝單元包括線掃描相機(jī)并且顯示彩色圖像。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,還包括:對準(zhǔn)相機(jī),其構(gòu)造為使所述封裝層與所述光學(xué)檢查單元對準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,還包括:自動調(diào)焦單元,其構(gòu)造為當(dāng)所述光學(xué)檢查單元沿著所述封裝層的檢查區(qū)域移動時,調(diào)整所述光學(xué)檢查單元相對于所述封裝層的焦點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,還包括:透鏡,其具有對應(yīng)于所述拍攝單元的像素數(shù)量的像素數(shù)量。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述檢測單元將所述光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為所述封裝層的對應(yīng)于所述光強(qiáng)度的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求9至18中任一項(xiàng)所述的設(shè)備,其中所述檢查設(shè)備設(shè)置在用于所述有機(jī)發(fā)光面板的后處理設(shè)備之前。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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