[發明專利]一種超低電壓超低功耗的晶體振蕩器電路

有效

• 申請號: 201710586967.6
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN109274336B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 肖云鈔
• 申請（專利權）人: 杭州晶華微電子股份有限公司
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超低電壓超低功耗晶體振蕩器電路，包括晶振Z，第一負載電容CQ1和第二負載電容CQ2、輸出驅動輔助電路和幅度控制輔助電路；

第一負載電容CQ1和第二負載電容CQ2一端接地，第二負載電容CQ2另一端與晶振Z連接，第一負載電容CQ1另一端與晶振Z連接；

輸出驅動輔助電路包括第四放大管N4、第四偏置管P4和反相器INV1；

幅度控制輔助電路包括第二放大管N2、第二偏置管P2、第二放大器反饋電阻RF_AMP2、第三放大管N3、第三偏置管P3、第三放大器反饋電阻RF_AMP3、第一分壓電容CT1、第二分壓電容CT2、第二濾波電容C2和第三濾波電容C3；

第四偏置管P4柵極接第二偏置管P2柵極、第三偏置管P3柵極和第三偏置管P3漏極；源極接電源，第四偏置管P4漏極接第四放大管N4漏極和反相器INV1輸入端；

第四放大管N4柵極接晶振Z、第一負載電容CQ1正端和第一分壓電容CT1正端，源極接地，漏極接第四偏置管P4漏極和反相器INV1輸入端；

反相器INV1輸出端接CLK；

第二偏置管P2柵極接第三偏置管P3柵極和第三偏置管P3漏極，源極接電源，漏極接第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸入端、第三放大器反饋電阻RF_AMP3輸入端，第二放大管N2漏極和第二濾波電容C2正端；

第二放大管N2柵極接第二分壓電容CT2正端、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸出端和第一分壓電容CT1負端，源極接地，漏極接第二偏置管P2漏極、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸入端、第三放大器反饋電阻RF_AMP3輸入端和第二濾波電容C2正端；

第二放大器反饋電阻RF_AMP2與第二放大管N2并聯；

第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸入端接第二放大管N2漏極、第二放大管N2柵極、第二偏置管P2漏極、第三放大器反饋電阻RF_AMP3輸入端和第二濾波電容C2正端；

第一分壓電容CT1正端接第四放大管N4柵極、晶振Z一端， CT1負端接第二分壓電容CT2正端、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸出端和第二放大管N2柵極；

第二分壓電容CT2正端接第一分壓電容CT1負端、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸出端和第二放大管N2柵極，CT2負端接地；

第二濾波電容C2負端接地，正端接第二放大管N2漏極、第二偏置管P2漏極、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸入端和第三放大器反饋電阻RF_AMP3輸入端；

第三放大器反饋電阻RF_AMP3輸入端接第二放大管N2漏極、第二偏置管P2漏極、第二放大器反饋電阻RF_AMP2輸入端和第二濾波電容C2正端；輸出端接第三濾波電容C3正端和第三放大管N3柵極；

第三濾波電容C3正端接第三放大管N3柵極，負端接地；

其特征在于，還包括雙跨導晶振主電路，雙跨導晶振主電路包括第一放大管N1、第一偏置管P1、第一放大器反饋電阻RF_AMP1和橋接電容CP；

第一放大管N1與晶振Z并聯，第一放大管N1漏極與晶振Z一端連接，柵極與晶振Z另一端、橋接電容CP正端、第一負載電容CQ1正端、第一分壓電容CT1正端和第四放大管N4柵極連接； N1源極接地；

第一放大器反饋電阻RF_AMP1與第一放大管N1并聯；第一放大器反饋電阻RF_AMP1輸入端連接第一放大管N1漏極和第一偏置管P1漏極； RF_AMP1輸出端與第一分壓電容CT1正端、第四放大管N4柵極和第一放大管N1柵極連接；

第一偏置管P1柵極接第二偏置管P2柵極及第三偏置管P3柵極和漏極、橋接電容CP負端、第四偏置管P4柵極；第一偏置管P1源極接電源， P1漏極接N1漏極，橋接電容CP正端與第四放大管N4柵極和第一分壓電容CT1正端連接。

2.根據權利要求1所述的一種超低電壓超低功耗晶體振蕩器電路，其特征在于，第一放大器反饋電阻RF_AMP1、第二放大器反饋電阻RF_AMP2和第三放大器反饋電阻RF_AMP3均為低功耗放大器構成電阻。