[發(fā)明專利]金屬膜蝕刻液組合物及顯示裝置用陣列基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710585309.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107630219B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁圭亨;金童基;金兌勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/18
• 分類號(hào): C23F1/18;C23F1/26;H01L27/12
• 代理公司: 11243 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發(fā)明提供一種金屬膜蝕刻液組合物及顯示裝置用陣列基板的制造方法，上述金屬膜蝕刻液組合物包含A)過(guò)氧化氫(H₂O₂)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一個(gè)分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸鹽、和G)多元醇型表面活性劑，從而具有使隨處理張數(shù)增加而變化的蝕刻結(jié)束所需時(shí)間(End Point Detection；EPD)、側(cè)蝕(Side etch)、錐角(Taper angle)的變化量最小化的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種金屬膜蝕刻液組合物及使用上述金屬膜蝕刻液組合物的顯示裝置用陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置中，在基板上形成金屬配線的過(guò)程通常包括利用如下工序的步驟：利用濺射等的金屬膜形成工序；利用光致抗蝕劑涂覆、曝光及顯影的選擇性區(qū)域中的光致抗蝕劑形成工序；及蝕刻工序，并且包括在個(gè)別單元工序前后的清洗工序等。這樣的蝕刻工序是指，將光致抗蝕劑作為掩模，在選擇性區(qū)域中留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的干式蝕刻或利用金屬膜蝕刻液組合物的濕式蝕刻。

一般而言，液晶顯示裝置包含由薄膜晶體管基板、濾色器基板、以及注入在兩基板之間的液晶層形成的液晶面板。

液晶層由印刷在兩基板的邊緣四周且包圍液晶層的封止劑結(jié)合。由于液晶面板為非發(fā)光元件，因此在薄膜晶體管基板的后面設(shè)有背光單元。背光所照射的光根據(jù)液晶分子的排列狀態(tài)而調(diào)節(jié)透光量。

為了向液晶層傳遞信號(hào)，薄膜晶體管基板上形成有配線。薄膜晶體管基板的配線包括柵極配線和數(shù)據(jù)配線。

這里，柵極配線包含施加?xùn)艠O信號(hào)的柵極線和薄膜晶體管的柵電極，數(shù)據(jù)配線包含與柵極配線絕緣而施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線和構(gòu)成薄膜晶體管的數(shù)據(jù)電極的漏電極和源電極。

這樣的配線可以由金屬單層或合金單層構(gòu)成，但為了彌補(bǔ)各金屬或合金的缺點(diǎn)而獲得期望的物性，也可以由多層形成。

蒸鍍?cè)诨宀牧仙系亩鄬邮峭ㄟ^(guò)蝕刻而圖案化為配線。就蝕刻而言，有干式蝕刻和濕式蝕刻，多使用能夠均勻蝕刻且生產(chǎn)率高的濕式蝕刻。

韓國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)第10-2007-0055259號(hào)提出了可以蝕刻銅鉬合金膜的蝕刻溶液及其蝕刻方法，但未能夠解決隨處理張數(shù)增加而導(dǎo)致的蝕刻(Etch)性能減低，并且側(cè)蝕(Side etch)、蝕刻結(jié)束所需時(shí)間(End Point Detection；EPD)、錐角(Taper angle)變化量增加的現(xiàn)象。

為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)人開(kāi)發(fā)了用于在制造顯示裝置用陣列基板時(shí)將金屬薄膜及厚膜一并蝕刻且解決隨處理張數(shù)增加而導(dǎo)致的上述問(wèn)題的組合物。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：韓國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)第10-2007-0055259號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

所要解決的課題

本發(fā)明的目的在于，提供以往蝕刻液(Etchant)的處理張數(shù)變化量得到提高，且隨處理張數(shù)增加而變化的蝕刻結(jié)束所需時(shí)間(END POINT DETECTION；EPD)、側(cè)蝕(Sideetch)、錐角(Taper angle)變化量小的可一并蝕刻金屬膜的金屬膜蝕刻液組合物。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供可一并蝕刻金屬膜或銅系金屬膜的金屬膜蝕刻液組合物，其包含過(guò)氧化氫(H₂O₂)、含氟化合物、5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)、咪唑(Imidazole)、亞氨基二乙酸(Iminodiacetic acid)、硫酸鹽和水。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供使用上相同的金屬膜或銅系金屬膜的蝕刻液組合物來(lái)蝕刻金屬膜或銅系金屬膜的蝕刻方法。