[發明專利]膜層圖案化方法、陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710585224.7
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107275195B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 汪軍;袁廣才;王東方;方沖;李廣耀
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 焦玉恒

一種膜層圖案化方法、陣列基板及其制作方法。該膜層圖案化方法，包括：在待圖案化的膜層上涂敷光刻膠；對光刻膠進行曝光以及顯影，光刻膠經過曝光以及顯影后被完全去除的部分對應的區域為第一區域；對光刻膠進行后烘，光刻膠發生高溫融塌以使被完全去除的部分對應的區域變化為第二區域，經過后烘的光刻膠形成掩膜圖案；以及以掩膜圖案為掩模對膜層進行圖案化。該膜層圖案化方法利用熱融性光刻膠在顯影和后烘后發生高溫融塌的特點，為待圖案化的膜層形成曝光機精度以下的小尺寸圖案提供可能，并且該方法工藝簡單、成本低。

技術領域

本公開至少一個實施例涉及一種膜層圖案化方法、陣列基板及其制作方法。

背景技術

在陣列基板的制作工藝中，圖案化膜層的過程一般采用光刻膠作為掩模對待圖案化的膜層進行圖案化，因此，制作的光刻膠掩模的精度對于膜層上待形成的小尺寸圖案具有很大影響。

發明內容

本公開的至少一實施例提供一種膜層圖案化方法、陣列基板及其制作方法。該膜層圖案化方法利用熱融性光刻膠在顯影和后烘后發生高溫融塌的特點，為待圖案化的膜層形成曝光機精度以下的小尺寸圖案提供可能，并且該方法工藝簡單、成本低。

本公開的至少一實施例提供一種膜層圖案化方法，包括：在待圖案化的膜層上涂敷光刻膠；對光刻膠進行曝光以及顯影，光刻膠經過曝光以及顯影后被完全去除的部分對應的區域為第一區域；對光刻膠進行后烘，光刻膠發生高溫融塌以使被完全去除的部分對應的區域變化為第二區域，經過后烘的光刻膠形成掩膜圖案；以掩膜圖案為掩模對膜層進行圖案化。

例如，在本公開的一個實施例中，第一區域沿平行于膜層所在平面的方向的最小尺寸為第一尺寸，第二區域沿平行于膜層所在平面的方向的最小尺寸為第二尺寸，且第二尺寸小于第一尺寸。

例如，在本公開的一個實施例中，光刻膠為正性光刻膠。

例如，在本公開的一個實施例中，第二區域的平面形狀包括圓形和線形的至少之一或組合。

例如，在本公開的一個實施例中，后烘過程中的后烘溫度為150℃-300℃以使光刻膠發生高溫融塌。

例如，在本公開的一個實施例中，后烘過程中的后烘時間為10s-500s。

例如，在本公開的一個實施例中，后烘過程中的后烘時間為10s-50s。

例如，在本公開的一個實施例中，第二尺寸為1μm-2.9μm。

例如，在本公開的一個實施例中，第一尺寸不小于3μm。

例如，在本公開的一個實施例中，光刻膠沿垂直于膜層方向的厚度為0.5μm-10μm。

例如，在本公開的一個實施例中，光刻膠沿垂直于膜層方向的厚度為1.5μm-2.2μm。

例如，在本公開的一個實施例中，在曝光的過程中采用的光照強度為10J/cm³-500J/cm³。

本公開的至少一實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成待圖案化的膜層；對膜層利用上述任一項實施例提供的膜層圖案化方法進行圖案化。

本公開的至少一實施例提供一種陣列基板，利用上述的陣列基板的制作方法制作而成。

例如，在本公開的一個實施例中，陣列基板包括的膜層的表面上具有與第二區域的平面形狀相同的膜層圖案。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為本公開一實施例提供的膜層圖案化方法的示意性流程圖；