[發(fā)明專利]膜層圖案化方法、陣列基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710585224.7
• 申請(qǐng)日: 2017-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN107275195B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪軍;袁廣才;王東方;方?jīng)_;李廣耀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 焦玉恒

1.一種膜層圖案化方法，包括：

在待圖案化的膜層上涂敷光刻膠；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光以及顯影，所述光刻膠經(jīng)過曝光以及顯影后被完全去除的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行后烘，所述光刻膠發(fā)生高溫融塌以使被完全去除的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域變化為第二區(qū)域，經(jīng)過后烘的所述光刻膠形成掩膜圖案；以及

以所述掩膜圖案為掩模對(duì)所述膜層進(jìn)行圖案化，

其中，所述第一區(qū)域沿平行于所述膜層所在平面的方向的最小尺寸為第一尺寸，所述第二區(qū)域沿平行于所述膜層所在平面的方向的最小尺寸為第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，所述光刻膠為正性光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，所述第二區(qū)域的平面形狀包括圓形和線形的至少之一或組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，所述后烘過程中的后烘溫度為150℃-300℃以使所述光刻膠發(fā)生高溫融塌。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜層圖案化方法，其中，所述后烘過程中的后烘時(shí)間為10s-500s。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜層圖案化方法，其中，所述后烘過程中的后烘時(shí)間為10s-50s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，所述第二尺寸為1μm-2.9μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層圖案化方法，其中，所述第一尺寸不小于3μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，所述光刻膠沿垂直于所述膜層方向的厚度為0.5μm-10μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的膜層圖案化方法，其中，所述光刻膠沿垂直于所述膜層方向的厚度為1.5μm-2.2μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層圖案化方法，其中，在所述曝光的過程中采用的光照強(qiáng)度為10J/cm³-500 J/cm³。

12.一種陣列基板的制作方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成待圖案化的膜層；

對(duì)所述膜層利用權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的膜層圖案化方法進(jìn)行圖案化。

13.一種陣列基板，利用權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法制作而成。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括的所述膜層的表面上具有與所述第二區(qū)域的平面形狀相同的膜層圖案。