[發(fā)明專利]一種無損傷硅片吸盤

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710584108.3
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107342257A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 張學強;戴軍;張建偉;賈宇鵬
• 申請（專利權）人: 羅博特科智能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L31/18
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369
• 代理人: 韓飛

1.一種無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，包括：

與硅片相接觸的吸取部(112)；以及

與吸取部(112)一體成型的根部(111)，

其中，吸取部(112)與硅片相接觸面上開設有至少兩個吸嘴(1121)，無損傷硅片吸盤(11)的內部開設有通往根部(111)并連通外界的氣路(113)，氣路(113)與吸嘴(1121)相連通。

2.如權利要求1所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，根部(111)上開設有貫穿其主體的安裝孔(1111)，該安裝孔(1111)與氣路(113)不連通。

3.如權利要求1所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，根部(111)的厚度大于吸取部(112)的厚度，吸取部(112)關于根部(111)偏置設置使得吸嘴(1121)旁側有足夠容納硅片的空間。

4.如權利要求1所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，氣路(113)在無損傷硅片吸盤(11)內部的延伸方向與無損傷硅片吸盤(11)的長度方向相一致。

5.如權利要求4所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，氣路(113)的出口設于根部(111)的端部，且氣路(113)的出口處設有沿無損傷硅片吸盤(11)的長度伸展方向凸起的氣管安裝部(1112)。

6.如權利要求1所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，吸取部(112)的端部設有導引頭(1122)，該導引頭(1122)呈沿無損傷硅片吸盤(11)的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結構。

7.如權利要求7所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，導引頭(1122)的導引角α大小為5°～15°。

8.如權利要求7所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，導引頭(1122)的兩側窄邊處設有左導引斜面(1122a)與右導引斜面(1122b)，左導引斜面(1122a)與無損傷硅片吸盤(11)的長度方向夾角β大小為25°～45°，右導引斜面(1122b)與無損傷硅片吸盤(11)的長度方向夾角θ大小為25°～45°。

9.如權利要求3所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，根部(111)的厚度為3.5～5.0mm，吸取部(112)的厚度為2.0～2.8mm。

10.如權利要求1～9任一項所述的無損傷硅片吸盤(11)，其特征在于，該無損傷硅片吸盤(11)由陶瓷材料制成。