[發明專利]一種無損傷硅片吸盤

在審

• 申請號: 201710584108.3
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107342257A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 張學強;戴軍;張建偉;賈宇鵬
• 申請（專利權）人: 羅博特科智能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L31/18
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369
• 代理人: 韓飛

技術領域

本發明涉及真空取放技術領域，特別涉及一種無損傷硅片吸盤。

背景技術

在太陽能硅片工藝處理步驟中，需要先進行插片步驟，即將多片硅片相互間隔地放置在石墨支架上，然后進行工藝處理，再將工藝處理完后的硅片從支架內取出(取片步驟)以備后續的工藝操作。在現有技術中，仍采用由人工操作真空吸筆來完成硅片的插片和取片工作，由于硅片間距為毫米級，硅片材質較脆且厚度很薄，采用傳統工藝容易導致工作效率低、碎片率高、硅片表面容易擦傷或污染等缺點，有鑒于此，實有必要開發一種無損傷硅片吸盤，用以解決上述問題。

發明內容

針對現有技術中存在的不足之處，本發明的目的是提供一種無損傷硅片吸盤，其在提高工作效率的同時，還能夠避免硅片表面的劃傷及污染，同時還能降低碎片率，降低生產成本。

為了實現根據本發明的上述目的和其他優點，提供了一種無損傷硅片吸盤，包括：

與硅片相接觸的吸取部；以及

與吸取部一體成型的根部，

其中，吸取部與硅片相接觸面上開設有至少兩個吸嘴，無損傷硅片吸盤的內部開設有通往根部并連通外界的氣路，氣路與吸嘴相連通。

優選的是，根部上開設有貫穿其主體的安裝孔，該安裝孔與氣路不連通。

優選的是，根部的厚度大于吸取部的厚度，吸取部關于根部偏置設置使得吸嘴旁側有足夠容納硅片的空間。

優選的是，氣路在無損傷硅片吸盤內部的延伸方向與無損傷硅片吸盤的長度方向相一致。

優選的是，氣路的出口設于根部的端部，且氣路的出口處設有沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向凸起的氣管安裝部。

優選的是，吸取部的端部設有導引頭，該導引頭呈沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結構。

優選的是，導引頭的導引角α大小為5°～15°。

優選的是，導引頭的兩側窄邊處設有左導引斜面與右導引斜面，左導引斜面與無損傷硅片吸盤的長度方向夾角β大小為25°～45°，右導引斜面與無損傷硅片吸盤的長度方向夾角θ大小為25°～45°。

優選的是，根部的厚度為3.5～5.0mm，吸取部的厚度為2.0～2.8mm。

優選的是，該無損傷硅片吸盤由陶瓷材料制成。

本發明與現有技術相比，其有益效果是：

1、避免了人工與硅片接觸，提高了工作效率的同時防止了在工藝處理過程中對硅片表面造成污染；

2、由于吸取部的端部設有導引頭，該導引頭呈沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向厚度逐漸變薄的楔形結構，從而使得該吸盤在逐漸深入到硅片中時，能夠避免硅片表面的劃傷，同時能夠防止硅片受到壓迫而破碎；

3、由于氣路的出口處設有沿無損傷硅片吸盤的長度伸展方向凸起的氣管安裝部，從而便于氣管與無損傷硅片吸盤的對接。

附圖說明

圖1為根據本發明所述的無損傷硅片吸盤的立體圖；

圖2為根據本發明所述的無損傷硅片吸盤的主視圖；

圖3為根據本發明所述的無損傷硅片吸盤的右視圖；

圖4為圖2中沿A-A方向的剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明做進一步的詳細說明，本發明的前述和其它目的、特征、方面和優點將變得更加明顯，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。在附圖中，為清晰起見，可對形狀和尺寸進行放大，并將在所有圖中使用相同的附圖標記來指示相同或相似的部件。在說明書中，諸如“前部”、“后部”、“上部”、“下部”、“頂部”和“底部”及其衍生詞的相對術語應當被解釋為是指如然后所述的或如在被討論的附圖中所示出的取向。這些相對術語是為了說明方便起見并且通常并不旨在需要具體取向。涉及附接、聯接等的術語(例如，“連接”和“附接”)是指這些結構通過中間結構彼此直接或間接固定或附接的關系、以及可動或剛性附接或關系，除非以其他方式明確地說明。

參照圖1及圖2，無損傷硅片吸盤11包括：根部111及吸取部112，其中，吸取部112與硅片相接觸，根部111與吸取部112一體成型，吸取部112與硅片相接觸面上開設有至少兩個吸嘴1121，該無損傷硅片吸盤11的內部開設有通往根部111并連通外界的氣路113，氣路113與吸嘴1121相連通。參照圖3及圖4，在優選的實施方式中，吸嘴1121設有三個，且三個吸嘴1121非共線布置，氣路113上連通地設有分別通往三個吸嘴1121的第一支路1131、第二支路1132及第三支路1133。