[發明專利]一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201710582068.9 | 申請日： | 2017-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN107507866B | 公開（公告）日： | 2023-08-18 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;曾勇;姚日暉;鄭澤科;章紅科;劉賢哲;李曉慶;張嘯塵;王磊;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/22 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 氧化物 柔性 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
1.一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，由依次層疊的硬質襯底、柔性襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層和源/漏電極構成，其特征在于：所述有源層具有誘導層和多晶氧化物半導體層的雙層結構，其中誘導層位于柵極絕緣層一側；
所述多晶氧化物半導體通過室溫晶化得到；
所述有源層通過?PLD?的方法在室溫制備而成，且不需要退火處理。
2.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述柵極的材料為?Al:Nd。
3.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述柵極絕緣層的材料為?Al2O3:Nd。
4.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述誘導層的材料為?Al2O3、CuO?或島狀生長的?Ag、Cu?或?Au。
5.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述多晶氧化物半導體層的材料為?ZnO?或?ZnO?基摻雜的半導體。
6.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述多晶氧化物半導體層上還沉積一層?Al2O3?薄膜鈍化層。
7.根據權利要求?1?所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管，其特征在于：?所述源/漏電極的材料為?Au、Ag、Cu?或?Al。
8.權利要求?1~7?任一項所述的一種多晶氧化物柔性薄膜晶體管的制備方法，?其特征在于具體制備步驟及順序如下：
（1）首先在硬質襯底上旋涂一層?PI?溶液，烘干作為柔性襯底，然后在柔性襯底上通過磁控濺射、真空蒸鍍或PLD?的方法制備柵極；
（2）通過原子層沉積、磁控濺射、PLD?或陽極氧化的方法制備柵極絕緣層；
（3）接著沉積有源層，有源層由誘導層和多晶氧化物半導體雙層結構構成，?先沉積誘導層，其厚度小于?10?nm，然后沉積多晶氧化物半導體層；
（4）最后通過磁控濺射、真空蒸鍍或?PLD?的方法沉積源/漏電極，得到所述多晶氧化物柔性薄膜晶體管。
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