[發明專利]裸眼3D光柵及制備方法

在審

• 申請號: 201710575282.1
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107329278A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 藍永貴;江濤;賈文;劉為樂;翟健文;曹建強
• 申請（專利權）人: 宜昌南玻顯示器件有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: G02B27/22
• 分類號: G02B27/22;G02B5/18
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務所42103
• 代理人: 黎澤洲

1.一種裸眼3D光柵，包括基層（101），其特征是：在基層（101）的一面設有低反射層（102），低反射層（102）上方設有高反射層（103），至少高反射層（103）為光柵結構。

2.根據權利要求1所述的裸眼3D光柵，其特征是：低反射層（102）和高反射層（103）為光柵結構。

3.一種裸眼3D光柵，包括基層（101），其特征是：在基層（101）的一面設有高反射層（103），高反射層（103）上方設有低反射層（102），高反射層（103）和低反射層（102）為光柵結構。

4.根據權利要求1~3任一項所述的裸眼3D光柵，其特征是：所述的基層（101）為玻璃基板或透明塑料基板。

5.根據權利要求1~3任一項所述的裸眼3D光柵，其特征是：所述的低反射層（102）為氧化鉬層；所述的高反射層（103）為鋁層或銀層。

6.根據權利要求1~3任一項所述的裸眼3D光柵，其特征是：由基層（101）、低反射層（102）和高反射層（103）組成的光柵器件（1）位于背光組件（3）與陣列玻璃組件（6）之間。

7.一種制備權利要求1、2、4~6所述的裸眼3D光柵的制備方法，其特征是包括以下步驟：

一、在真空狀態下，在磁控濺射設備中，以Mo靶作為靶材，通入氧氣，在基層（101）的一面以磁控反應濺射工藝制備低反射層（102）；

二、更換為Al靶或Ag靶作為靶材，通入氬氣，在低反射層（102）的表面以磁控反應濺射工藝制備高反射層（103）；

三、刻蝕光柵；

通過以上步驟實現裸眼3D光柵的制備。

8.一種制備權利要求3~6所述的裸眼3D光柵的制備方法，其特征是包括以下步驟：一、在磁控濺射設備中，以Al靶或Ag靶作為靶材，通入氬氣，在基層（101）的一面以磁控反應濺射工藝制備高反射層（103）；

二、更換為Mo靶作為靶材，通入氧氣，在高反射層（103）的表面以磁控反應濺射工藝制備低反射層（102）；

三、刻蝕光柵；

通過以上步驟實現裸眼3D光柵的制備。

9.根據權利要求7或8所述的裸眼3D光柵的制備方法，其特征是：低反射層（102）濺鍍的溫度條件為100~150℃；高反射層（103）濺鍍的溫度條件為70~100℃。

10.根據權利要求7或8所述的裸眼3D光柵的制備方法，其特征是：所述的刻蝕方法采用黃光刻蝕，包括以下步驟：

s1、上光阻；

s2、用光罩曝光，光照條件為平行紫外線光線；光積量：50~150mj；

s3、顯影，顯影后檢測；

s4、以刻蝕液刻蝕；

s5、脫膜；

通過以上步驟實現光柵刻蝕。