[發(fā)明專利]真空沉積腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710574813.5
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN107502858B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯蒂芬·班格特;安德烈亞斯·勒普;托馬斯·格比利;烏韋·許斯勒;喬斯·曼紐爾·迭格斯-坎波
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種真空沉積腔室，包括：

材料沉積設(shè)備(300)，所述材料沉積設(shè)備(300)具有兩個(gè)或更多個(gè)分配管道，各分配管道具有沿著相應(yīng)分配管道的長度而設(shè)置的多個(gè)噴嘴，各分配管道的橫截面包括對應(yīng)于三角形的一部分的主要區(qū)段，以用于以本質(zhì)上平行的方式減少壁面對基板的寬度；以及

基板支撐件，用于在沉積期間支撐所述基板，其中所述材料沉積設(shè)備的所述分配管道中的至少一者與所述基板支撐件之間的距離小于250mm。

2.如權(quán)利要求1所述的真空沉積腔室，其中所述分配管道的所述橫截面具有圓角。

3.如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中所述壁的所述寬度為各分配管道的所述橫截面的最大維度的30％或小于30％。

4.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中各分配管道具有涵蓋約30°或小于30°的角度的已蒸發(fā)的材料的分配。

5.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中鄰近的分配管道的噴嘴彼此之間的距離小于50mm。

6.如權(quán)利要求5所述的真空沉積腔室，其中鄰近的分配管道的噴嘴之間的距離為第一分配管道的第一噴嘴的第一中心點(diǎn)與第二分配管道的第二噴嘴的第二中心點(diǎn)之間的距離。

7.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中在第一分配方向上從所述兩個(gè)或更多個(gè)分配管道中的第一分配管道的一或多個(gè)第一噴嘴釋放第一已蒸發(fā)的材料，所述第一分配方向與平行于所述兩個(gè)或更多個(gè)分配管道中的第二分配管道的一個(gè)或多個(gè)第二噴嘴的第二分配方向偏差高達(dá)5°。

8.如權(quán)利要求5所述的真空沉積腔室，其中所述多個(gè)第一噴嘴的一或多個(gè)噴嘴的長度對尺寸比為等于或大于2:1。

9.如權(quán)利要求8所述的真空沉積腔室，其中所述比形成已蒸發(fā)的有機(jī)材料的cos⁶形蒸氣羽流。

10.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中至少一個(gè)第一分配管道為用于已蒸發(fā)的有機(jī)材料的分配管道。

11.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，進(jìn)一步包括在所述基板支撐件(126)與所述分配管道之間的像素掩模支撐件。

12.如權(quán)利要求11所述的真空沉積腔室，進(jìn)一步包括：在所述像素掩模支撐件上的像素掩模，其中所述像素掩模(132)包括像素開口，所述像素開口具有50μm x 50μm或小于50μmx 50μm的尺寸。

13.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中用于所述材料沉積設(shè)備(300)的材料沉積布置(100)能夠在所述真空沉積腔室(110)中移動。

14.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的真空沉積腔室，其中所述兩個(gè)或更多個(gè)分配管道在實(shí)質(zhì)上垂直的方向中延伸。