[發明專利]一種LED面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710574667.6
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107452840B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 尹靈峰;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種LED面板及其制作方法，屬于半導體技術領域。制作方法包括：在襯底上形成若干芯片半成品，芯片半成品中的P型電極為磁體，芯片半成品之間設有隔離槽；通過隔離槽濕法腐蝕芯片半成品，直到芯片半成品變成倒圓錐體與襯底分離；在基板上設置電極固定塊，電極固定塊遠離基板的一端和對應的芯片半成品中P型電極遠離P型氮化鎵層的一端為異名磁極；將所有芯片半成品和基板放入同一溶液中，各個芯片半成品的P型電極在磁力的作用下吸附在對應的電極固定塊上；在各個芯片半成品上設置絕緣層；在絕緣層上設置N型電極連接線。本發明可以避免由于劈裂襯底分離芯片造成破片和發光層損傷，大大提高了產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種LED面板及其制作方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種可以把電能轉化成光能的半導體二極管，具有體積小、亮度高和能耗小的特點，被廣泛地應用在顯示屏、背光源和照明領域。LED的核心組件是芯片，若干芯片整齊排列在基板上形成LED面板。

現有LED面板的制作方法包括：在襯底上依次形成緩沖層、N型半導體層、發光層和P型半導體層；在P型半導體層上開設延伸至N型半導體層的凹槽，在凹槽內的N型半導體層上形成延伸至襯底的隔離槽；在凹槽內的N型半導體層上形成N型電極，在P型半導體層上形成P型電極；將襯底粘附在藍膜上，沿隔離槽的延伸方向劈裂襯底，形成若干相互獨立的芯片；擴展藍膜，將相互獨立的芯片分離；將分離后的芯片分別固定在基板上，形成LED面板。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

微型發光二極管(英文簡稱：Micro LED)芯片是大小達到微米級的LED芯片，如果按照現有LED面板的制作方法處理Micro LED芯片，在劈裂襯底時容易造成破片和發光層損傷，產品良率太低，無法進行工業生產。

發明內容

為了解決現有技術的問題，本發明實施例提供了一種LED面板及其制作方法。所述技術方案如下：

一方面，本發明實施例提供了一種LED面板的制作方法，所述制作方法包括：

在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層和P型電極，所述P型電極為磁體，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型電極延伸至所述襯底的隔離槽；

通過所述隔離槽濕法腐蝕所述芯片半成品，直到所述芯片半成品變成倒圓錐體與所述襯底分離，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快；

在基板上設置與所述芯片半成品一一對應的電極固定塊，所述電極固定塊為磁體，所述電極固定塊遠離所述基板的一端和對應的所述芯片半成品中所述P型電極遠離所述P型氮化鎵層的一端為異名磁極；

將所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各個所述芯片半成品的P型電極在磁力的作用下吸附在對應的所述電極固定塊上；

在各個所述芯片半成品上設置從所述N型氮化鎵層延伸至所述基板的絕緣層；

在所述絕緣層上設置N型電極連接線，所述N型電極連接線的兩端分別與所述N型氮化鎵層和所述基板連接。

可選地，所述在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層和P型電極，所述P型電極為磁體，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型電極延伸至所述襯底的隔離槽，包括：

采用金屬有機化合物化學氣相沉淀技術在襯底上依次生長氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層；

采用光刻技術在所述P型氮化鎵層上形成第一圖形的光刻膠；