[發明專利]一種LED面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710574667.6
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107452840B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 尹靈峰;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層和P型電極，所述P型電極為磁體，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型電極延伸至所述襯底的隔離槽；

通過所述隔離槽濕法腐蝕所述芯片半成品，直到所述芯片半成品變成倒圓錐體與所述襯底分離，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快；

在基板上設置與所述芯片半成品一一對應的電極固定塊，所述電極固定塊為磁體，所述電極固定塊遠離所述基板的一端和對應的所述芯片半成品中所述P型電極遠離所述P型氮化鎵層的一端為異名磁極；

將所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各個所述芯片半成品的P型電極在磁力的作用下吸附在對應的所述電極固定塊上；

在各個所述芯片半成品上設置從所述N型氮化鎵層延伸至所述基板的絕緣層；

在所述絕緣層上設置N型電極連接線，所述N型電極連接線的兩端分別與所述N型氮化鎵層和所述基板連接。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層和P型電極，所述P型電極為磁體，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型電極延伸至所述襯底的隔離槽，包括：

采用金屬有機化合物化學氣相沉淀技術在襯底上依次生長氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層；

采用光刻技術在所述P型氮化鎵層上形成第一圖形的光刻膠；

采用物理氣相沉積技術在所述第一圖形的光刻膠、以及所述第一圖形的光刻膠中露出的P型氮化鎵層上形成P型電極；

將所述P型電極放入第一磁場中進行磁化，所述第一磁場的方向與所述P型電極的層疊方向平行，直到所述P型電極變成磁體；

采用物理氣相沉積技術在所述P型電極上形成二氧化硅層；

去除所述第一圖形的光刻膠；

干法刻蝕所述P型氮化鎵層、所述發光層和所述N型氮化鎵層，形成隔離槽。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通過所述隔離槽濕法腐蝕所述芯片半成品，直到所述芯片半成品變成倒圓錐體與所述襯底分離，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快，包括：

將所述芯片半成品浸泡在腐蝕溶液中，所述腐蝕溶液對所述芯片半成品中P型電極上的二氧化硅層、所述隔離槽內的芯片半成品進行腐蝕，所述腐蝕溶液為磷酸溶液、硫酸溶液、或者磷酸和硫酸的混合溶液。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述腐蝕溶液的溫度為200℃～250℃。

5.根據權利要求2～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為100nm～5000nm。

6.根據權利要求2～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型電極包括依次層疊在所述P型氮化鎵層上的反射層和磁體層。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述磁體層的材料采用鎳或者釹磁鐵。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，當所述磁體層的材料采用鎳時，所述反射層的材料采用銀；當所述磁體層的材料采用釹磁鐵時，所述反射層的材料采用銀、鋁、金或者鉑。