[發(fā)明專利]用于可編程存儲(chǔ)器陣列的字線電壓產(chǎn)生器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710574045.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107833587B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·A·費(fèi)爾德;艾瑞克·D·杭特史羅德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C8/08
• 分類號(hào): G11C8/08
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

本發(fā)明涉及用于可編程存儲(chǔ)器陣列的字線電壓產(chǎn)生器，關(guān)于一種產(chǎn)生高差動(dòng)讀取電流穿過(guò)非易失性存儲(chǔ)器的方法，其包括自字線電壓產(chǎn)生器接收電壓讀取輸入，將第一電流輸出至真數(shù)位線(BLT)，將第二電流輸出至補(bǔ)數(shù)位線(BLC)，以及透過(guò)該第一電流與該第二電流間的差異產(chǎn)生該高差動(dòng)讀取電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于字線電壓產(chǎn)生器，且尤其關(guān)于用于就制程、電壓與溫度條件計(jì)算最適字線電壓電平、并且對(duì)于可編程存儲(chǔ)器陣列輸出緩沖電壓供應(yīng)的字線電壓產(chǎn)生器。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)存在各種類型。諸如可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、電氣可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電氣可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃EEPROM或其它電氣存儲(chǔ)器裝置等大部分的非易失性存儲(chǔ)器裝置需要另外的處理運(yùn)作，致使成本增加、誤處理的可能性增加、且需要的制造時(shí)間更長(zhǎng)。另外，代表嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)的一次性可編程存儲(chǔ)器陣列(OTPM)有各種類型。

在OTPM感測(cè)技巧中，電壓感測(cè)方法出現(xiàn)在字線電平升降緩慢的情況，為的是要在起自編程場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的另一位線出現(xiàn)導(dǎo)通前先容許自未編程FET至各別位線的導(dǎo)通(即轉(zhuǎn)換感測(cè)方法)。因此，電壓信號(hào)的極性通過(guò)半鎖存器設(shè)定及偵測(cè)。此半鎖存器是由于此偵測(cè)到的電壓信號(hào)而自動(dòng)設(shè)定，不用時(shí)序脈沖。

發(fā)明內(nèi)容

在本發(fā)明的一態(tài)樣中，一種產(chǎn)生高差動(dòng)讀取電流穿過(guò)非易失性存儲(chǔ)器的方法，包括自字線電壓產(chǎn)生器接收電壓讀取輸入，將第一電流輸出至真數(shù)位線(BLT)，將第二電流輸出至補(bǔ)數(shù)位線(BLC)，以及透過(guò)該第一電流與該第二電流間的差異產(chǎn)生該高差動(dòng)讀取電流。

在本發(fā)明的另一態(tài)樣中，一種對(duì)差動(dòng)儲(chǔ)存胞元的字線柵極電壓施加偏壓以產(chǎn)生高差動(dòng)讀取電流的方法，包括將預(yù)定電流注入FET裝置陣列以產(chǎn)生電壓監(jiān)測(cè)信號(hào)，將該電壓監(jiān)測(cè)信號(hào)輸入至求和電路，于其中對(duì)該電壓監(jiān)測(cè)信號(hào)加入或減去離散電壓電平以產(chǎn)生目標(biāo)電壓，將該目標(biāo)電壓驅(qū)送至多個(gè)差動(dòng)儲(chǔ)存胞元，用于施加偏壓使該字線柵極電壓處于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的臨限電壓附近，自該差動(dòng)儲(chǔ)存胞元讀取該高差動(dòng)讀取電流，以及回應(yīng)于該高差動(dòng)讀取電流的正極性或負(fù)極性，感測(cè)該高差動(dòng)讀取電流作為數(shù)位邏輯電平。

在本發(fā)明的另一態(tài)樣中，一種用于差動(dòng)存儲(chǔ)器陣列的字線控制電路，包括：接收進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)裝置陣列的電流以產(chǎn)生電壓監(jiān)測(cè)的電壓監(jiān)測(cè)電路、對(duì)該電壓監(jiān)測(cè)加入或減去過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓以產(chǎn)生最適讀取字線電壓的數(shù)位類比轉(zhuǎn)換器、以及配置成差動(dòng)晶體管對(duì)并且共享對(duì)應(yīng)于該最適讀取字線電壓的字線的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)記憶胞元。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明是通過(guò)本發(fā)明例示性具體實(shí)施例的非限制性實(shí)施例，參照注記的多個(gè)圖式，在以下詳細(xì)說(shuō)明中作說(shuō)明。

圖1根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，展示字線電壓產(chǎn)生器。

圖2根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，展示使用字線電壓產(chǎn)生器的一次性可編程存儲(chǔ)器陣列。

圖3根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，展示位線信號(hào)與字線電壓的關(guān)系圖。

圖4根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，展示VREAD信號(hào)進(jìn)行數(shù)位轉(zhuǎn)類比(DAC)調(diào)整的曲線圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明關(guān)于字線電壓產(chǎn)生器，并且更尤其關(guān)于用于就制程、電壓與溫度條件計(jì)算最適字線電壓電平、并且對(duì)于可編程存儲(chǔ)器陣列輸出緩沖電壓供應(yīng)的字線電壓產(chǎn)生器。在具體實(shí)施例中，本發(fā)明是關(guān)于一次性可編程存儲(chǔ)器陣列，其使用以不同電壓臨限值(Vt)編程的雙胞元與一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。