[發明專利]用于可編程存儲器陣列的字線電壓產生器

有效

• 申請號: 201710574045.3
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107833587B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 約翰·A·費爾德;艾瑞克·D·杭特史羅德
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種產生高差動讀取電流穿過非易失性存儲器的方法，其包含：

將字線電壓產生器中的電壓讀取輸入調整至一次性可編程存儲器(OTPM)陣列的臨限電壓分布的中心；

自該字線電壓產生器接收該電壓讀取輸入；

將第一電流輸出至真數位線(BLT)；

將第二電流輸出至補數位線(BLC)；以及

透過該第一電流與該第二電流間的差異產生該高差動讀取電流。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該第一電流是基于輸入至該非易失性存儲器的第一晶體管的柵極的該電壓讀取輸入而輸出至該真數位線。

3.如權利要求2所述的方法，其中，該第二電流是基于輸入至該非易失性存儲器的第二晶體管的柵極的該電壓讀取輸入而輸出至該補數位線。

4.如權利要求3所述的方法，其中，該第一晶體管與該第二晶體管具有不同的臨限電壓。

5.如權利要求4所述的方法，其中，該第一晶體管與該第二晶體管為NFET裝置。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該電壓讀取輸入具有就漏電作調整的電壓電平。

7.如權利要求1所述的方法，更包含基于該高差動讀取電流而感測邏輯電平。

8.如權利要求1所述的方法，其中，出自該字線電壓產生器的該電壓讀取輸入是就制程、電壓及溫度(PVT)進行最佳化。

9.一種對差動儲存胞元的字線柵極電壓施加偏壓以產生高差動讀取電流的方法，其包含：

將預定電流注入FET裝置陣列以產生電壓監測信號；

將該電壓監測信號輸入至求和電路，于其中對該電壓監測信號加入或減去離散電壓電平以產生目標電壓；

將該目標電壓驅送至多個差動儲存胞元，用于施加偏壓使該字線柵極電壓處于場效應晶體管(FET)的臨限電壓附近，從而將該字線柵極電壓調整至一次性可編程存儲器(OTPM)陣列的臨限電壓分布的中心；

自該差動儲存胞元讀取該高差動讀取電流；以及

回應于該高差動讀取電流的正極性或負極性，感測該高差動讀取電流作為數位邏輯電平。

10.如權利要求9所述的方法，其中，該預定電流是接收自能隙電路。

11.如權利要求9所述的方法，其中，該求和電路包含用于對該電壓監測信號進行加入或減去的數位類比轉換器。

12.如權利要求9所述的方法，其中，該字線柵極電壓是就制程、電壓及溫度(PVT)進行最佳化。

13.一種用于差動存儲器陣列的字線控制電路，包括：

電壓監測電路，其接收進入場效應晶體管(FET)裝置陣列的電流以產生電壓監測；

數位類比轉換器，其對該電壓監測加入或減去過驅動電壓以產生最適讀取字線電壓；以及

多個場效應晶體管(FET)記憶胞元，其配置成差動晶體管對，并且其共享對應于該最適讀取字線電壓的字線，其中，將該最適讀取字線電壓調整至一次性可編程存儲器(OTPM)陣列的臨限電壓分布的中心。

14.如權利要求13所述的字線控制電路，其中，該電流是接收自能隙電路。

15.如權利要求13所述的字線控制電路，更包含儲存差動電壓的鎖存器，該差動電壓對應于輸出自所述差動晶體管對的差動電流。

16.如權利要求13所述的字線控制電路，更包含解碼該最適讀取字線電壓并輸出該字線的字解碼器。

17.如權利要求13所述的字線控制電路，其中，該最適讀取字線電壓比所述差動晶體管對其中至少一者高100mV。

18.如權利要求13所述的字線控制電路，其中，該最適讀取字線電壓追蹤溫度與制程變化以使該過驅動電壓維持100mV。