[發明專利]一種用于芯片的離子注入設備

有效

• 申請號: 201710571769.2
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN107346723B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 卓廷厚
• 申請（專利權）人: 廈門芯光潤澤科技有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/32;H01L21/266
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種用于芯片的離子注入設備，包括底座，所述底座的頂端一側焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部開設有水平設置的通孔，且通孔內套接有軸承，軸承的內壁套接有轉動桿，所述轉動桿遠離第一支柱的一端通過螺絲固定有吸盤，所述底座的頂端一側通過螺絲固定有伺服電機，所述底座的頂端外壁另一側分別開設有第二電動導軌和第三電動導軌，所述第三電動導軌和第二電動導軌的中間處相垂直。本發明通過驅動第一滑塊在第一電動導軌內上下移動以此來調整離子槍頭的豎直位置，通過伺服電機的帶動使轉動桿轉動，吸盤可以將待注入基板牢牢吸附，這樣就可以實現大面積的離子注入作業工作，提高生產效率降低整個生產成本。

技術領域

本發明涉及離子注入技術領域，尤其涉及一種用于芯片的離子注入設備。

背景技術

離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射，另外有一種現象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現象，在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。目前的芯片離子注入設備在使用時，作業面積小只能對待注入基板進行單點注入，生產效率低下，且現有的離子注入設備結構復雜，生產成本高。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種用于芯片的離子注入設備。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種用于芯片的離子注入設備，包括底座，所述底座的頂端一側焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部開設有水平設置的通孔，且通孔內套接有軸承，軸承的內壁套接有轉動桿，所述轉動桿遠離第一支柱的一端通過螺絲固定有吸盤，所述底座的頂端一側通過螺絲固定有伺服電機，所述底座的頂端外壁另一側分別開設有第二電動導軌和第三電動導軌，所述第三電動導軌和第二電動導軌的中間處相垂直，且第三電動導軌和第二電動導軌相連通，所述第二電動導軌的內部鑲嵌有第二滑塊，所述第二滑塊的頂端焊接有豎直設置的第二支柱，所述第二支柱相對第一支柱的一側開設有第一電動導軌，所述第一電動導軌的內部鑲嵌有第一滑塊，所述第一滑塊遠離第一電動導軌的一端通過螺絲固定有離子發生器，所述離子發生器靠近吸盤的一端焊接有離子槍頭，所述離子發生器的底端焊接有電動伸縮桿，所述電動伸縮桿的底端通過螺絲固定有水平設置的承載臺，且承載臺的一端焊接在第二支柱的外側壁。

優選的，所述轉動桿貫穿第一支柱，且轉動桿靠近第一支柱的一端通過V帶和伺服電機的輸出軸傳動連接。

優選的，所述伺服電機通過導線連接有開關，且開關連接有控制器，控制器的型號為DATA-7311。

優選的，所述離子槍頭的距離底座的高度和吸盤距離底座的高度相配合。

優選的，所述第一電動導軌的長度小于第二支柱的高度。

優選的，所述第二電動導軌的長度和寬度均小于底座的長度和寬度，第三電動導軌的長度和寬度均小于底座的長度和寬度。

本發明的有益效果為：本設備結構簡單，使用時，通過控制第二滑塊在第二電動導軌和第三電動導軌內進行移動來調整離子槍頭對待注入基板的水平位置，之后在驅動第一滑塊在第一電動導軌內上下移動以此來調整離子槍頭的豎直位置，通過伺服電機的帶動使轉動桿轉動，吸盤可以將待注入基板牢牢吸附，這樣就可以實現大面積的離子注入作業，提高生產效率，降低整個生產成本。

附圖說明

圖1為本發明提出的一種用于芯片的離子注入設備的結構示意圖；

圖2為本發明提出的一種用于芯片的離子注入設備的局部結構示意圖。