[發明專利]一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710570694.6 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN107369700B | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發明(設計)人: | 王燦;張粲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置,通過設置與各陽極絕緣的并且能夠屏蔽相鄰兩個像素之間的電場的屏蔽層,可以在像素發光時,將該發光像素中的陽極與其相鄰的像素中的陽極之間的電場進行屏蔽,從而可以避免由于耦合作用,導致該發光像素的陽極使其相鄰的像素中的陽極具有耦合電壓,進而可以消除相鄰兩個像素中的陽極之間的耦合作用對像素發光的干擾,提高顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器具有主動發光、寬視角、重量輕、厚度小、響應速度快、動態畫面質量高、使用溫度范圍廣及可實現柔性顯示等優點,引起了廣泛的關注,并在手機、平板電腦、數碼相機等顯示領域得到了應用。其中,OLED一般包括層疊設置的陽極、發光層以及陰極。
目前,OLED顯示器的各像素中的陽極一般具有一定的厚度,導致相鄰兩個像素中的陽極在垂直于OLED顯示器方向上的相對面之間具有耦合電容。在像素發光時,該像素中的陽極上會具有一定電壓,由于相鄰兩個像素之間的距離較小以及耦合作用,會使其相鄰像素中的陽極具有耦合電壓,導致干擾其他像素發光,降低顯示效果。尤其是在小尺寸或微尺寸的高分辨率OLED顯示器中,相鄰像素之間的距離更小,導致干擾其他像素發光的現象更明顯。
發明內容
本發明實施例提供一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置,用以解決現有技術中由于相鄰兩個像素之間的距離較小以及耦合作用,導致干擾其他像素發光,降低顯示效果的問題。
因此,本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:襯底基板以及位于所述襯底基板一側的多個像素;各所述像素包括陽極;所述陣列基板還包括:與各所述陽極絕緣設置的屏蔽層;所述屏蔽層用于屏蔽相鄰兩個所述像素之間的電場。
優選地,在本發明實施例提供的上述陣列基板中,所述屏蔽層位于各所述陽極面向所述襯底基板的一側且與各所述相鄰像素之間的間隙對應設置,和/或,
所述屏蔽層與各所述陽極同層設置且位于各所述像素之間的間隙處。
優選地,在本發明實施例提供的上述陣列基板中,所述屏蔽層的材料為導電材料,并且所述屏蔽層接地。
優選地,在本發明實施例提供的上述陣列基板中,所述屏蔽層位于各所述陽極面向所述襯底基板的一側且與各所述相鄰像素之間的間隙對應設置,并且所述屏蔽層在所述襯底基板的正投影覆蓋各所述陽極的邊緣在所述襯底基板的正投影;
所述屏蔽層與各所述陽極之間具有第一耦合電容,相鄰兩個陽極之間具有第二耦合電容;每個所述陽極對應的第一耦合電容的電容值不小于對應的第二耦合電容的電容值。
優選地,在本發明實施例提供的上述陣列基板中,針對一個陽極,所述屏蔽層與所述陽極的邊緣在垂直于所述襯底基板方向上的正對面積和所述陽極與其相鄰的陽極之間的正對面積相等,所述屏蔽層與所述陽極之間的距離不大于所述陽極與其相鄰的陽極之間的距離;或者,
針對一個陽極,所述屏蔽層與所述陽極之間的距離和所述陽極與其相鄰的陽極之間的距離相等,所述屏蔽層與所述陽極的邊緣在垂直于所述襯底基板方向上的正對面積不小于所述陽極與其相鄰的陽極之間的正對面積。
優選地,在本發明實施例提供的上述陣列基板中,所述屏蔽層位于各所述陽極面向所述襯底基板的一側且與各所述相鄰像素之間的間隙對應設置,所述陣列基板還包括:位于所述屏蔽層面向所述襯底基板一側的各所述像素中的頂電極,位于所述頂電極與所述屏蔽層之間的第一絕緣層,以及位于所述屏蔽層與各所述陽極之間的第二絕緣層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





