[發明專利]一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710570694.6
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN107369700B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 王燦;張粲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板，包括：襯底基板以及位于所述襯底基板一側的多個像素；各所述像素包括陽極；其特征在于，所述陣列基板還包括：層疊設置于所述陽極背離所述襯底基板一側的發光功能層與陰極、以及與各所述陽極絕緣設置的屏蔽層；所述屏蔽層用于屏蔽相鄰兩個所述像素之間的電場；所述屏蔽層的材料為導電材料，并且所述屏蔽層接地；

所述屏蔽層位于各所述陽極面向所述襯底基板的一側且與各所述相鄰像素之間的間隙對應設置，并且所述屏蔽層在所述襯底基板的正投影覆蓋各所述陽極的邊緣在所述襯底基板的正投影；

所述屏蔽層與各所述陽極之間具有第一耦合電容，相鄰兩個陽極之間具有第二耦合電容；每個所述陽極對應的第一耦合電容的電容值不小于對應的第二耦合電容的電容值；

所述屏蔽層位于各所述陽極面向所述襯底基板的一側且與各所述相鄰像素之間的間隙對應設置，所述陣列基板還包括：位于所述屏蔽層面向所述襯底基板一側的各所述像素中的頂電極，位于所述頂電極與所述屏蔽層之間的第一絕緣層，以及位于所述屏蔽層與各所述陽極之間的第二絕緣層；

各所述陽極通過貫穿所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的第一過孔與對應的頂電極電連接；其中，各所述第一過孔在所述襯底基板的正投影位于對應的頂電極在所述襯底基板的正投影內，且各所述第一過孔在所述襯底基板的正投影與所述屏蔽層在所述襯底基板的正投影無交疊。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，針對一個陽極，所述屏蔽層與所述陽極的邊緣在垂直于所述襯底基板方向上的正對面積和所述陽極與其相鄰的陽極之間的正對面積相等，所述屏蔽層與所述陽極之間的距離不大于所述陽極與其相鄰的陽極之間的距離；或者，

針對一個陽極，所述屏蔽層與所述陽極之間的距離和所述陽極與其相鄰的陽極之間的距離相等，所述屏蔽層與所述陽極的邊緣在垂直于所述襯底基板方向上的正對面積不小于所述陽極與其相鄰的陽極之間的正對面積。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電材料為金屬材料。

4.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-3任一項所述的陣列基板。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求4所述的顯示面板。

6.一種如權利要求1-3任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成屏蔽層以及位于各像素中且與所述屏蔽層絕緣的陽極的圖形；其中，所述屏蔽層用于屏蔽相鄰兩個所述像素之間的電場；

所述在襯底基板上形成屏蔽層以及位于各像素中且與所述屏蔽層絕緣的陽極的圖形之前，還包括：

在襯底基板上形成位于各所述像素中的頂電極的圖形；

在形成有所述頂電極的襯底基板上形成第一絕緣層的圖形；

所述形成屏蔽層的圖形，具體包括：在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成屏蔽層的圖形；

所述在形成屏蔽層的圖形之后，且在形成位于各像素中且與所述屏蔽層絕緣的陽極的圖形之前，還包括：在形成有所述屏蔽層的襯底基板上形成第二絕緣層以及貫穿所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的各第一過孔的圖形；其中，各所述第一過孔在所述襯底基板的正投影位于對應的頂電極在所述襯底基板的正投影內，且各所述第一過孔在所述襯底基板的正投影與所述屏蔽層在所述襯底基板的正投影無交疊；

所述形成位于各像素中且與所述屏蔽層絕緣的陽極的圖形，具體包括：在形成有所述第一過孔的襯底基板的各像素中形成各所述陽極的圖形，使各所述陽極通過對應的第一過孔與對應的頂電極電連接。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，形成的屏蔽層的材料為導電材料，且形成的屏蔽層接地。