[發明專利]比較器、電路裝置、物理量傳感器、電子設備以及移動體有效
| 申請號: | 201710570158.6 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN107658292B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 羽田秀生 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H03M1/38 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;鄧毅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 比較 電路 裝置 物理量 傳感器 電子設備 以及 移動 | ||
本發明提供比較器、電路裝置、物理量傳感器、電子設備以及移動體。能夠確保延遲時間,并且減少布局面積。比較器(50)包括第1電壓時間轉換電路(10)、第2電壓時間轉換電路(20)以及判定電路(30)。第1延遲單元(UA1)具有:第1第一導電類型晶體管,其電流根據第1輸入信號(PIN)而受到控制;第1第二導電類型晶體管,其電流根據第2輸入信號(NIN)而受到控制;以及設置在它們中間的第1延遲緩沖器。第2延遲單元(UB1)具有:第2第一導電類型晶體管,其電流根據第2輸入信號(NIN)而受到控制;第2第二導電類型晶體管,其電流根據第1輸入信號(PIN)而受到控制;以及設置在它們中間的第2延遲緩沖器。
技術領域
本發明涉及比較器、電路裝置、物理量傳感器、電子設備以及移動體等。
背景技術
如下這樣的時域(Time-Domain)型比較器已被眾所周知,該比較器將輸入電壓電平轉換為時間(例如,信號沿的延遲時間、脈沖信號的脈寬、時鐘信號的周期等),對該時間進行比較,由此,進行輸入電壓電平的比較。
例如,在專利文獻1中公開了時域型比較器以及使用該時域型比較器的逐次比較型A/D轉換器。專利文獻1的時域型比較器包括輸入第1、第2輸入電壓以及時鐘信號的第1、第2電壓時間轉換電路,通過對第1、第2電壓時間轉換電路中的時鐘信號的延遲時間(第1、第2延遲時間)進行比較來比較第1、第2輸入電壓。第1電壓時間轉換電路包括多個延遲級,各延遲級包括雙級的反相器。在第1級的反相器與“地”之間設置有N型晶體管,在第2級的反相器與電源之間設置有P型晶體管。并且,N型晶體管輸入第1輸入電壓,P型晶體管輸入第2輸入電壓。第2電壓時間轉換電路是相同的結構,但是,N型晶體管輸入第2輸入電壓,P型晶體管輸入第1輸入電壓。通過這樣的結構,根據第1、第2輸入電壓的大小確定第1、第2延遲時間的大小,能夠進行電壓比較。
專利文獻1:美國專利第8373444號說明書
在上述這樣的時域型比較器中,延遲時間(將電壓轉換成時間的增益)是根據延遲級的級數確定的,存在需要與該延遲級的級數對應的布局面積的課題。例如,為了增加延遲時間,需要增加延遲級的級數,從而布局面積增大。
例如,在上述的專利文獻1中,由于構成為僅使時鐘信號的一個沿延遲,因此,為了增加延遲時間,必須增加級數。即,在多個延遲級內輸入一個沿(上升沿)、并使該沿延遲的情況下,下一個輸入沿必然成為另一個沿(下降沿)。因此,即使要將多個延遲級的輸出反饋到輸入側而重復延遲,也無法使第二次循環的下降沿延遲。即,由于不能將多個延遲級的輸出反饋到輸入側而重復延遲,因此,為了增加延遲時間,需要增加級數。
發明內容
根據本發明的幾種方式,能夠提供確保延遲時間并且能夠減少布局面積的比較器、電路裝置、物理量傳感器、電子設備以及移動體等。
本發明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的,并且能夠作為以下的形態或方式實現。
本發明的一個方式涉及比較器,該比較器包括:第1電壓時間轉換電路,其具有第1延遲電路,輸入第1輸入信號和第2輸入信號;第2電壓時間轉換電路,其具有第2延遲電路,輸入所述第1輸入信號和所述第2輸入信號;以及判定電路,其根據所述第1電壓時間轉換電路的輸出信號和所述第2電壓時間轉換電路的輸出信號,判定所述第1輸入信號和所述第2輸入信號的大小,所述第1延遲電路具有的第1延遲單元具有:第1第一導電類型晶體管,其電流根據所述第1輸入信號而受到控制;第1第二導電類型晶體管,其電流根據所述第2輸入信號而受到控制;以及第1延遲緩沖器,其設置在所述第1第一導電類型晶體管與所述第1第二導電類型晶體管之間,使所述第1延遲單元的輸入信號延遲后輸出,所述第2延遲電路具有的第2延遲單元具有:第2第一導電類型晶體管,其電流根據所述第2輸入信號而受到控制;第2第二導電類型晶體管,其電流根據所述第1輸入信號而受到控制;以及第2延遲緩沖器,其設置在所述第2第一導電類型晶體管與所述第2第二導電類型晶體管之間,使所述第2延遲單元的輸入信號延遲后輸出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





