[發明專利]比較器、電路裝置、物理量傳感器、電子設備以及移動體有效
| 申請號: | 201710570158.6 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN107658292B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 羽田秀生 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H03M1/38 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;鄧毅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 比較 電路 裝置 物理量 傳感器 電子設備 以及 移動 | ||
1.一種比較器,其特征在于,該比較器包括:
第1電壓時間轉換電路,其具有第1延遲電路,輸入第1輸入信號和第2輸入信號;
第2電壓時間轉換電路,其具有第2延遲電路,輸入所述第1輸入信號和所述第2輸入信號;以及
判定電路,其根據所述第1電壓時間轉換電路的輸出信號和所述第2電壓時間轉換電路的輸出信號,判定所述第1輸入信號和所述第2輸入信號的大小,
所述第1延遲電路具有的第1延遲單元具有:
第1第一導電類型晶體管,其電流根據所述第1輸入信號而受到控制;
第1第二導電類型晶體管,其電流根據所述第2輸入信號而受到控制;以及
第1延遲緩沖器,其設置在所述第1第一導電類型晶體管與所述第1第二導電類型晶體管之間,使所述第1延遲單元的輸入信號延遲后輸出,
所述第2延遲電路具有的第2延遲單元具有:
第2第一導電類型晶體管,其電流根據所述第2輸入信號而受到控制;
第2第二導電類型晶體管,其電流根據所述第1輸入信號而受到控制;以及
第2延遲緩沖器,其設置在所述第2第一導電類型晶體管與所述第2第二導電類型晶體管之間,使所述第2延遲單元的輸入信號延遲后輸出,
所述第1電壓時間轉換電路還包括:
第1輸入信號生成電路,其生成所述第1延遲電路的輸入信號;以及
第1鎖存電路,其時鐘端子被輸入所述第1延遲電路的輸出信號,數據端子被輸入第1邏輯電平,根據所述第1延遲電路的輸出信號取入所述第1邏輯電平,
所述第2電壓時間轉換電路還包括:
第2輸入信號生成電路,其生成所述第2延遲電路的輸入信號;以及
第2鎖存電路,其時鐘端子被輸入所述第2延遲電路的輸出信號,數據端子被輸入所述第1邏輯電平,根據所述第2延遲電路的輸出信號取入所述第1邏輯電平,
所述判定電路對所述第1鎖存電路的輸出信號從第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平的時刻、與所述第2鎖存電路的輸出信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平的時刻進行比較,由此判定所述第1輸入信號和所述第2輸入信號的大小。
2.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,
所述第1輸入信號生成電路使所述第1延遲電路的輸入信號從所述第1邏輯電平變成所述第2邏輯電平,
在所述第1延遲電路的輸出信號從所述第1邏輯電平變成所述第2邏輯電平的情況下,所述第1輸入信號生成電路使所述第1延遲電路的輸入信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平,
在所述第1延遲電路的輸出信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平的情況下,所述第1鎖存電路取入所述第1邏輯電平,所述第1鎖存電路的輸出信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平,
所述第2輸入信號生成電路使所述第2延遲電路的輸入信號從所述第1邏輯電平變成所述第2邏輯電平,
在所述第2延遲電路的輸出信號從所述第1邏輯電平變成所述第2邏輯電平的情況下,所述第2輸入信號生成電路使所述第2延遲電路的輸入信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平,
在所述第2延遲電路的輸出信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平的情況下,所述第2鎖存電路取入所述第1邏輯電平,所述第2鎖存電路的輸出信號從所述第2邏輯電平變成所述第1邏輯電平。
3.根據權利要求1所述的比較器,其特征在于,
所述第1延遲電路和所述第2延遲電路中的各延遲電路具有串聯連接的多個延遲單元。
4.根據權利要求3所述的比較器,其特征在于,
在所述第1延遲電路中,所述多個延遲單元中的至少2個延遲單元共用所述第1第一導電類型晶體管和所述第1第二導電類型晶體管,
在所述第2延遲電路中,所述多個延遲單元中的至少2個延遲單元共用所述第2第一導電類型晶體管和所述第2第二導電類型晶體管。
5.根據權利要求1~3中的任意一項所述的比較器,其特征在于,
在所述判定電路的判定結果得以確定的情況下,在所述第1延遲緩沖器和所述第2延遲緩沖器中,被提供的電源電壓被設定為規定的電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





