[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710566906.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107623005B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹淳凱;施宏霖;劉珀瑋;楊舜升;黃文鐸;才永軒;楊世匡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11526
• 分類號(hào): H01L27/11526
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上方形成非易失性存儲(chǔ)器的第一堆疊結(jié)構(gòu)和第二堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)上方形成導(dǎo)電材料層；

在所述導(dǎo)電材料層上方形成平坦化層；

在所述平坦化層上方形成掩模圖案；

通過(guò)使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述平坦化層；以及

通過(guò)將經(jīng)過(guò)圖案化的所述平坦化層作為蝕刻掩模來(lái)圖案化所述導(dǎo)電材料層，從而形成介于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間的擦除柵極線并且形成第一字線和第二字線，使得順序布置所述第一字線、所述第一堆疊結(jié)構(gòu)、所述擦除柵極線、所述第二堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二字線，

其中，所述第一字線和所述第二字線中的至少一個(gè)的上表面包括第一基部、第二基部和突出于所述第一基部、所述第二基部且位于所述第一基部和所述第二基部之間的突起，所述突起從所述襯底處測(cè)得的最高點(diǎn)高于所述第一基部和所述第二基部從所述襯底處測(cè)得的高度，并且所述第二基部的頂面位于所述突起的最高點(diǎn)和所述第一基部的頂面之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，自上而下觀看時(shí)，形成的所述掩模圖案沒(méi)有與所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)以及所述掩模圖案在第一方向上延伸并且被布置為互相平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述掩模圖案包括第一掩模圖案和第二掩模圖案，以及

在將形成所述第一字線的區(qū)域之上形成所述第一掩模圖案，以及

在將形成所述第二字線的區(qū)域之上形成所述第二掩模圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，沒(méi)有掩模圖案形成在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域之上，其中，所述擦除柵極線將形成在所述區(qū)域之上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述突起自所述襯底的高度高于所述擦除柵極線自所述襯底的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)中每一個(gè)包括自襯底順序堆疊的第一絕緣層、浮置柵極、第二絕緣層、控制柵極和第三絕緣層；以及

所述第二絕緣層包括氧化硅-氮化硅-氧化硅膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述突起自所述襯底的高度高于所述第三絕緣層自所述襯底的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述平坦化層包括底層和上層，以及

所述底層被形成為覆蓋所述導(dǎo)電材料層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述底層包括介電材料，該介電材料包括硅、氧和碳。