[發(fā)明專利]體聲波濾波器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710565859.0
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107623501A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林昶賢;李在昌;趙成珉;李泰京;李文喆
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/56;H03H9/58
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 孫麗妍,金光軍

本申請要求于2016年7月14日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0089378號以及于2016年11月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0154674號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

以下描述涉及一種體聲波濾波器裝置。

背景技術(shù)

近來，根據(jù)通信技術(shù)的飛速發(fā)展，存在對開發(fā)信號處理技術(shù)以及射頻(RF)組件技術(shù)的需求。

具體地，根據(jù)無線通信裝置小型化的趨勢，存在對小型化的射頻組件的積極需求。已經(jīng)通過使用制造半導體薄膜晶圓的技術(shù)將濾波器制造為體聲波(BAW)諧振器來實現(xiàn)射頻組件中的濾波器的小型化。

體聲波(BAW)諧振器將如下的薄膜型元件實現(xiàn)為濾波器：其中壓電介電材料沉積在作為半導體基板的硅晶圓上，以通過利用壓電介電材料的壓電特性來產(chǎn)生諧振。體聲波(BAW)諧振器的應(yīng)用領(lǐng)域包括諸如移動通信裝置、化學和生物裝置以及其它類似裝置中使用的那些小且重量輕的濾波器、振蕩器、諧振元件以及聲諧振質(zhì)量傳感器。

此外，已經(jīng)研究了各種結(jié)構(gòu)形狀和功能來增強體聲波諧振器的功能和結(jié)構(gòu)特性，并且有必要開發(fā)減小體聲波諧振器的特性變化的結(jié)構(gòu)和技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化形式介紹選擇的構(gòu)思，以下在具體實施方式中進一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容并不意在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

根據(jù)實施例，提供一種體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置包括：諧振部，設(shè)置在基板上；電極連接部，連接所述諧振部的電極；第一層，設(shè)置在所述基板上；以及第二層，設(shè)置在所述第一層的除了設(shè)置所述電極連接部的區(qū)域之外的區(qū)域上。

所述第一層可由二氧化硅(SiO₂)、包含二氧化硅(SiO₂)的材料、氮化鋁(AlN)或包含氮化鋁(AlN)的材料形成，并且所述第二層可由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。

氣隙可設(shè)置在所述第一層的下面，所述第一層設(shè)置在所述諧振部的下部中。

所述諧振部可包括：下電極，設(shè)置在所述第二層上；壓電層，設(shè)置為覆蓋所述下電極的一部分；以及上電極，設(shè)置在所述壓電層上。

所述體聲波濾波器裝置還可包括框架層，所述框架層設(shè)置在所述上電極上。

所述框架層和所述上電極可由相同的材料形成。

所述體聲波濾波器裝置還可包括第三層，所述第三層設(shè)置為覆蓋所述框架層和所述下電極的除了設(shè)置金屬焊盤的部分之外的部分。

所述體聲波濾波器裝置還可包括框架層，所述框架層設(shè)置在所述上電極和所述壓電層之間。

根據(jù)實施例，提供一種體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器包括：諧振部，設(shè)置在基板上；電極連接部，連接所述諧振部的電極；第一層，設(shè)置在所述基板上，并由二氧化硅(SiO₂)、包含二氧化硅(SiO₂)的材料、氮化鋁(AlN)或包含氮化鋁(AlN)的材料形成；以及第二層，設(shè)置在所述第一層的除了設(shè)置所述電極連接部的部分之外的部分上，并由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。

所述第二層可設(shè)置在所述第一層上，以便設(shè)置在所述第一層的除了設(shè)置所述電極連接部的所述部分之外的剩余部分上。所述第二層可設(shè)置在所述諧振部的下部中。

氣隙可設(shè)置在設(shè)置于所述諧振部的下部中的所述第一層的下面。

所述諧振部可包括：下電極，設(shè)置在所述第二層上；壓電層，設(shè)置為覆蓋所述下電極的一部分；以及上電極，設(shè)置在所述壓電層上。

所述體聲波濾波器裝置還可包括框架層，所述框架層設(shè)置在所述上電極上。

所述上電極和所述框架層可由相同的材料形成。

所述體聲波濾波器裝置還可包括第三層，所述第三層設(shè)置為覆蓋所述框架層和所述下電極的除了設(shè)置金屬焊盤的部分之外的部分。

所述體聲波濾波器裝置還可包括框架層，所述框架層設(shè)置在所述上電極和所述壓電層之間。

根據(jù)實施例，提供一種體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置包括：第一層，設(shè)置在基板上，并包括設(shè)置在所述基板和所述第一層之間的氣隙；第二層；第三層，設(shè)置在所述第一層的部分的上面；下電極，設(shè)置在所述第二層的一部分和所述第一層的一部分上；以及壓電層，覆蓋所述下電極的一部分和所述第二層的一部分，其中，所述第二層可設(shè)置在所述第一層的除了可設(shè)置所述第三層和所述下電極的區(qū)域之外的區(qū)域上，且位于所述氣隙的上面。