[發明專利]體聲波濾波器裝置

在審

• 申請號: 201710565859.0
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107623501A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 林昶賢;李在昌;趙成珉;李泰京;李文喆
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/56;H03H9/58
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 孫麗妍,金光軍

1.一種體聲波濾波器裝置，包括：

諧振部，設置在基板上；

電極連接部，連接所述諧振部的電極；

第一層，設置在所述基板上；以及

第二層，設置在所述第一層的除了設置所述電極連接部的區域之外的區域上。

2.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第一層由二氧化硅、包含二氧化硅的材料、氮化鋁或包含氮化鋁的材料形成，并且所述第二層由氮化硅或包含氮化硅的材料形成。

3.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，氣隙設置在所述第一層的下面，所述第一層設置在所述諧振部的下部中。

4.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述諧振部包括：

下電極，設置在所述第二層上；

壓電層，設置為覆蓋所述下電極的一部分；以及

上電極，設置在所述壓電層上。

5.根據權利要求4所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

框架層，設置在所述上電極上。

6.根據權利要求5所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述框架層和所述上電極由相同的材料形成。

7.根據權利要求5所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

第三層，設置為覆蓋所述框架層和所述下電極的除了設置金屬焊盤的部分之外的部分。

8.根據權利要求4所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

框架層，設置在所述上電極和所述壓電層之間。

9.根據權利要求2所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第二層設置在所述諧振部的下部中。

10.根據權利要求2所述的體聲波濾波器裝置，其中，氣隙設置在設置于所述諧振部的下部中的所述第一層的下面。

11.根據權利要求10所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述諧振部包括：

下電極，設置在所述第二層上；

壓電層，設置為覆蓋所述下電極的一部分；以及

上電極，設置在所述壓電層上。

12.根據權利要求11所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

框架層，設置在所述上電極上。

13.根據權利要求12所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述上電極和所述框架層由相同的材料形成。

14.根據權利要求12所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

第三層，設置為覆蓋所述框架層和所述下電極的除了設置金屬焊盤的部分之外的部分。

15.根據權利要求11所述的體聲波濾波器裝置，所述體聲波濾波器裝置還包括：

框架層，設置在所述上電極和所述壓電層之間。

16.一種體聲波濾波器裝置，包括：

第一層，設置在基板上，并包括設置在所述基板和所述第一層之間的氣隙；

第二層；

第三層，設置在所述第一層的部分的上面；

下電極，設置在所述第二層的一部分和所述第一層的一部分上；以及

壓電層，覆蓋所述下電極的一部分和所述第二層的一部分，

其中，所述第二層設置在所述第一層的除了設置所述第三層和所述下電極的區域之外的區域上，且位于所述氣隙的上面。

17.根據權利要求16所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述第二層設置在所述第一層的除了設置所述壓電層的區域之外的區域上。

18.根據權利要求16所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述下電極覆蓋所述第二層的至少一部分，所述下電極從所述第二層的側表面延伸到設置所述壓電層和所述第三層且位于所述氣隙上面的區域。